2SJ472-01L 时间：2025/8/9 14:54:56 阅读：18

2SJ472-01L 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高频开关和功率控制应用。该器件采用先进的制造工艺，具备良好的导通性能和较低的导通电阻，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类便携式电子设备的功率控制电路。2SJ472-01L 通常采用SOT-23封装形式，适合高密度PCB布局和表面贴装技术。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：20V
　　最大栅源电压（Vgs）：±8V
　　最大连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：约2Ω @ Vgs = -4.5V
　　漏源击穿电压（BVDSS）：20V
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-23
　　功率耗散（Pd）：200mW

特性

2SJ472-01L 具备多项优良特性，适用于中低功率的开关控制应用。其P沟道结构设计使其在低压应用中具有良好的导通性能，且导通电阻较低，有助于降低系统损耗，提高能效。该器件的最大漏源电压为20V，适合用于便携式设备中的电源管理电路，如电池供电系统和DC-DC转换器。
　　此外，2SJ472-01L 采用SOT-23封装，体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，并支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。其栅极驱动电压范围为±8V，通常在-4.5V至-10V之间可实现良好的导通状态，适用于多种控制电路设计。

应用

2SJ472-01L 主要应用于需要P沟道MOSFET进行低电压开关控制的场合。常见应用包括便携式电子设备的电源管理电路、电池供电系统的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流电路、LED驱动电路以及各类低功耗控制电路。由于其小尺寸封装和良好的电气性能，2SJ472-01L 也常用于智能手机、平板电脑、无线耳机、智能穿戴设备等消费类电子产品中的电源控制模块。