类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：-100V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　漏极电流（ID）：-11A（连续）
　　导通电阻（RDS(on)）：≤0.45Ω @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SJ4310具有多项优异的电气和物理特性，使其在功率电子应用中表现出色。首先，它的高耐压能力（VDS = -100V）允许其在高压环境中稳定工作，适用于高电压电源和逆变器系统。其次，其低导通电阻（RDS(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。此外，该晶体管具有较高的热稳定性，能够在较宽的温度范围内工作，适应各种工业环境。
　　2SJ4310的栅极驱动电压范围为±20V，确保了其在不同控制电路中的兼容性。同时，它具备良好的抗雪崩击穿能力，提高了器件在高能量负载下的可靠性。TO-220封装形式不仅提供了良好的散热性能，还便于安装在散热片上，进一步增强了其在高功率应用中的适用性。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够有效降低开关损耗，并提高系统的动态响应。这使其适用于高频开关电源、DC-DC转换器、马达驱动器和电池管理系统等多种应用场景。

2SJ4310广泛应用于各种高电压和高功率的电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。典型应用包括电源管理模块、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）系统、电池管理系统（BMS）以及工业自动化设备中的开关电路。由于其具备高耐压和低导通电阻的特性，该晶体管也常用于汽车电子系统中的功率控制部分。

2SJ355, IRF9640, FQP11P10