2SJ317NYTR 时间：2025/7/16 17:04:10 阅读：6

2SJ317NYTR 是一款由东芝（Toshiba）制造的P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电子设备中的功率控制和开关应用。该器件采用高密度单元设计，提供低导通电阻（RDS(ON)），在低电压和中等电流条件下表现出色。这款MOSFET封装为SOT-223形式，适用于表面贴装技术（SMT），便于在空间受限的应用中使用。

参数

类型：P沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：-100mA
　　最大漏源电压（VDS）：-50V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(ON))：约1.8Ω @ VGS = -10V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-223

特性

2SJ317NYTR MOSFET具有多个关键特性，使其成为许多功率管理电路的理想选择。首先，其P沟道结构允许在低压系统中高效地作为高边开关使用。其次，该器件的导通电阻较低，通常在1.8Ω左右，这意味着在运行过程中产生的热量较少，从而提高了系统的整体效率。
　　此外，2SJ317NYTR的最大漏极电流为-100mA，在许多低功耗应用中足够使用。它支持的最大漏源电压为-50V，适合于需要中等电压处理能力的设计。栅源电压容限为±20V，这确保了在不同的驱动条件下器件的安全操作。
　　该MOSFET的工作温度范围从-55°C到+150°C，使其能够在极端环境条件下稳定运行。同时，SOT-223封装形式不仅节省空间，还具备良好的散热性能，有助于提高器件的可靠性。

应用

2SJ317NYTR MOSFET适用于多种应用场景。常见的用途包括电源管理系统、电池供电设备中的开关电路、信号路由以及负载切换。由于其低导通电阻和较高的电压耐受能力，它也常用于DC-DC转换器、稳压器和电机控制电路中。
　　在消费类电子产品中，例如笔记本电脑、平板电脑和智能手表，该器件可用于管理不同功能模块的电源供应，优化能效并延长电池寿命。在工业控制系统中，2SJ317NYTR可以作为可靠的开关元件，用于控制传感器、执行器或其他外围设备的操作。
　　此外，由于其出色的热性能和稳定性，该MOSFET也可用于汽车电子系统中，如车载充电器、灯光控制系统或车载娱乐设备中的电源调节模块。