型号：2SJ281
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（VDS）：-30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.1A（@VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：37mΩ（@VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@VGS = -4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：600pF（@VDS = -15V）
　　输出电容（Coss）：140pF（@VDS = -15V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@VDS = -15V）
　　功耗（PD）：1W（@TA=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

2SJ281 P沟道MOSFET采用了先进的沟槽型场效应晶体管技术，具备优异的电气性能和热稳定性。其低导通电阻（RDS(on)）特性使其在低电压应用中表现出色，尤其是在电池供电设备中，能够有效降低功率损耗，延长电池使用寿命。当栅源电压为-10V时，其典型RDS(on)仅为37mΩ，而在更常见的-4.5V驱动条件下，仍可保持45mΩ的低阻值，这使得它能够在逻辑电平信号直接驱动下高效工作，无需额外的电平转换电路。
　　该器件具有较宽的栅源电压容限（±20V），增强了其在实际应用中的抗干扰能力和可靠性，避免因栅极过压而导致的器件损坏。其阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了器件在不同工作条件下的稳定开启与关断控制。此外，2SJ281的输入、输出和反向传输电容均经过优化设计，输入电容Ciss为600pF，在高频开关应用中可减少驱动电路的负担，提升系统响应速度。
　　由于采用SOT-23小型表面贴装封装，2SJ281具有较小的占板面积和良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。其1W的最大功耗（在25°C环境温度下）结合-55°C至+150°C的工作结温范围，使其可在恶劣环境条件下稳定运行。器件还具备良好的雪崩能量耐受能力，提高了在瞬态电压冲击下的安全性。此外，2SJ281符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化贴片生产线，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

2SJ281广泛应用于各类低电压、低功耗的电子系统中，尤其适合作为电源开关、负载开关或逆变器中的控制元件。在便携式设备如智能手机、平板电脑、蓝牙耳机和移动电源中，常被用于电池充放电管理电路或电源路径切换，利用其低导通电阻特性减少能量损耗，提高系统能效。在DC-DC转换器拓扑结构中，2SJ281可用于同步整流或高端开关配置，配合N沟道MOSFET实现高效的电压转换。
　　此外，该器件也常见于电机驱动电路、LED驱动电源和小型继电器控制模块中，作为P沟道开关管实现电路的通断控制。在电池供电的物联网（IoT）设备中，2SJ281可用于实现待机模式下的电源切断功能，显著降低静态功耗。其快速开关能力和稳定的电气特性也使其适用于各种信号切换和模拟开关应用。
　　在工业控制领域，2SJ281可用于传感器模块的电源管理、PLC输入输出接口的驱动电路以及小型执行器的控制单元。由于其封装小巧且性能稳定，也常被用于空间受限的高密度主板设计中，例如笔记本电脑的电源管理单元或嵌入式控制器中。此外，在音频放大器或运算放大器的偏置电路中，也可作为有源负载使用，提升电路增益和线性度。总体而言，2SJ281凭借其高性能、小尺寸和高可靠性，已成为众多电子设计中不可或缺的关键元器件。

Si2301DS, FDN301P, DMG2301U, AO3401A, BSS84