STS321240B100 是一款由盛泰微电子(Super Talent Semiconductor)生产的高性能、低功耗的功率MOSFET器件。该器件采用先进的半导体制造工艺,具有优秀的开关特性和导通性能,广泛应用于电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
STS321240B100属于N沟道增强型MOSFET,其设计旨在满足高效率和紧凑型电路的需求。该器件支持高达40V的工作电压,并具备超低的导通电阻,从而在高电流应用中提供优异的热性能和更低的能量损耗。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:-1.2A
导通电阻(典型值):100mΩ
栅极电荷:8nC
输入电容:560pF
总电荷:20nC
工作温度范围:-55℃ 至 +150℃
封装形式:SOT-23
STS321240B100 具有以下显著特点:
1. 超低导通电阻,能够有效降低能量损耗并提高系统效率。
2. 快速开关特性,适用于高频开关应用。
3. 高浪涌能力,可承受瞬时大电流冲击。
4. 采用小型SOT-23封装,节省PCB空间,非常适合便携式设备。
5. 提供卓越的热稳定性,在高温环境下仍能保持可靠的性能。
6. 符合RoHS标准,环保且适合全球市场应用。
STS321240B100 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流。
2. DC-DC转换器中的功率开关。
3. 电池管理系统(BMS)中的负载开关。
4. 消费类电子产品中的电机驱动控制。
5. 工业自动化设备中的信号切换与保护。
6. 便携式设备中的电源管理和保护电路。
由于其低导通电阻和小型封装,STS321240B100特别适合需要高效能和紧凑设计的应用场景。
IRLML6401,
FDS6670A,
AO3400