时间：2025/9/7 16:06:05
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2SJ223STL是一款P沟道场效应晶体管（MOSFET），由东芝（Toshiba）生产。该晶体管设计用于高频开关应用，具有低导通电阻和快速开关速度，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等电子系统。2SJ223STL采用小型表面贴装封装（SOT-223），便于在紧凑空间中使用，同时具备良好的热稳定性和可靠性。
类型：P沟道MOSFET
最大漏源电压（VDS）：-100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
最大连续漏极电流（ID）：-1.5A
导通电阻（RDS(on)）：约0.85Ω（典型值，VGS = -10V）
最大功耗（PD）：1W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装类型：SOT-223
2SJ223STL具有多个显著特性，使其适用于高频开关和功率管理应用。首先，其高耐压特性（VDS = -100V）使其适用于中高压功率转换电路。其次，该MOSFET具有较低的导通电阻（RDS(on)），可减少导通损耗，提高能效。此外，其快速开关特性使其适用于DC-DC转换器和高频开关电源。
该器件的SOT-223封装形式具有良好的散热性能，适合高密度PCB布局。此外，2SJ223STL具有良好的热稳定性和过热保护能力，能够在较高温度环境下稳定运行。栅极驱动电压范围宽（通常为-10V至-15V），便于与多种控制电路兼容。
在可靠性方面，2SJ223STL符合RoHS环保标准，不含铅和卤素，适用于工业和消费类电子产品。其具备较强的抗静电能力和较高的工作温度范围，适合在复杂电磁环境中稳定运行。
2SJ223STL广泛应用于各类电子设备中，特别是在需要高效功率控制和小型化设计的场合。例如，在DC-DC转换器中作为高侧开关，用于提高电源转换效率；在负载开关电路中用于控制电源供应，实现节能和快速关断功能；在电机驱动器中用于控制小型直流电机的启停和方向；此外，该MOSFET还可用于电池管理系统、LED驱动电路以及各种便携式电子设备的电源管理模块。
由于其高频特性和低导通电阻，2SJ223STL也常用于音频放大器的功率输出级、电源反向保护电路以及工业自动化设备中的开关控制电路。
2SJ355, 2SJ162, FDN340P, Si2301DS, AO3401A
