型号：2SJ192-PM-TL
　　极性：P沟道
　　最大漏源电压（Vds）：-30V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-4.6A（@ Ta=25°C）
　　脉冲漏极电流（Idm）：-12A
　　导通电阻（Rds(on)）：45mΩ（@ Vgs=-10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：55mΩ（@ Vgs=-4.5V）
　　阈值电压（Vth）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ Vds=-10V）
　　输出电容（Coss）：170pF（@ Vds=-10V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ Vds=-10V）
　　栅极电荷（Qg）：12nC（@ Vds=-20V, Id=-2.3A）
　　功耗（Pd）：1W（@ Ta=25°C）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOT-89-2

2SJ192-PM-TL采用先进的沟槽式MOSFET工艺制造，具备出色的电气性能和热稳定性。其关键特性之一是低导通电阻，在Vgs=-10V时典型值仅为45mΩ，这显著降低了导通状态下的功率损耗，提升了电源转换效率。即使在较低的栅极驱动电压（如-4.5V）下，其Rds(on)也仅上升至55mΩ，使其兼容3.3V或5V逻辑电平控制，适用于现代低压数字控制系统。
　　该器件的阈值电压范围为-1.0V至-2.5V，确保了可靠的关断与开启控制，避免因噪声干扰导致误触发。输入、输出及反向传输电容均经过优化，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高高频工作的响应速度和稳定性，适合用于高达数百kHz的开关电源设计。
　　2SJ192-PM-TL的SOT-89-2封装不仅体积小巧，便于在高密度PCB布局中使用，而且具备良好的散热能力，能够有效传导工作时产生的热量。尽管额定功耗为1W，但在适当的散热条件下可进一步提升其持续电流承载能力。
　　该MOSFET还具备较强的抗浪涌电流能力，脉冲漏极电流可达-12A，适合应对瞬态负载变化。内置的体二极管具有一定的反向恢复能力，虽然不推荐用于高频整流，但在某些拓扑结构中可提供必要的续流路径。
　　此外，2SJ192-PM-TL通过了严格的质量认证，具备高可靠性，适用于工业和汽车级应用环境。其无卤素（Halogen-free）和符合RoHS指令的设计也满足现代环保要求。综合来看，这款P沟道MOSFET在性能、尺寸和可靠性方面实现了良好平衡，是中小功率电源开关应用的理想选择。

2SJ192-PM-TL广泛应用于各类需要高效、小型化电源开关解决方案的电子设备中。常见用途包括便携式电子产品中的负载开关和电源路径管理，例如智能手机、平板电脑、移动电源等，用于控制电池对不同模块的供电通断，以实现节能和安全保护。
　　在DC-DC转换器电路中，特别是降压（Buck）变换器的高边开关配置中，2SJ192-PM-TL因其P沟道特性而无需额外的自举电路，简化了驱动设计，降低了系统成本和复杂度。它也常用于同步整流以外的低端驱动场景，或作为理想二极管替代方案用于防止反向电流。
　　在电池供电系统中，该器件可用于电池反接保护、充放电控制和多电源切换电路。由于其低静态功耗和快速响应能力，非常适合待机模式下的电源隔离应用。
　　此外，2SJ192-PM-TL也被用于工业控制板、传感器模块、LED驱动电源和小型电机控制电路中，执行信号开关或小功率负载控制任务。在汽车电子领域，可用于车身控制模块、车载信息娱乐系统电源管理等非动力总成相关应用。
　　得益于其稳定的温度特性和坚固的封装结构，该器件还能适应较为严苛的工作环境，如高温或振动场合。总体而言，2SJ192-PM-TL是一款通用性强、性价比高的P沟道MOSFET，适用于多种中低功率开关应用场景。

2SJ355-PM-TL-E
　　2SJ208-PM-TL-E
　　DMG2305UX