型号：2SJ189
　　极性：P沟道
　　漏源电压（Vds）：-30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：-100mA
　　脉冲漏极电流（Idm）：-270mA
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.0Ω（@ Vgs = -10V）
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值 2.6Ω（@ Vgs = -4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：-0.8V 至 -2.0V
　　输入电容（Ciss）：约 23pF（@ Vds=10V）
　　输出电容（Coss）：约 17pF（@ Vds=10V）
　　反向传输电容（Crss）：约 4.5pF（@ Vds=10V）
　　开启延迟时间（td(on)）：约 5ns
　　关断延迟时间（td(off)）：约 15ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围（Tstg）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（TO-236AB）

2SJ189采用了先进的沟槽型MOSFET制造工艺，这种结构通过在硅片表面形成垂直的沟槽栅极，显著提高了单位面积内的沟道密度，从而降低了导通电阻（Rds(on)）。这一特性使得器件在小封装下仍能保持较高的电流处理能力和较低的功耗，尤其适合电池供电设备中对能效要求较高的应用场景。其典型的Rds(on)值在-4.5V栅压下仅为2.6Ω，意味着即使在较低的驱动电压下也能实现高效导通，减少能量损耗。
　　该器件具备出色的开关速度，得益于其低栅极电荷（Qg）和小输入/输出电容，能够实现快速的开启与关断响应。这对于高频开关电源系统如同步降压变换器或负载开关控制至关重要，有助于提升整体系统的转换效率并减小外部滤波元件的尺寸。同时，快速的开关特性也降低了交叉导通的风险，在桥式电路或双MOSFET配置中提升了可靠性。
　　2SJ189的阈值电压范围为-0.8V至-2.0V，确保了器件在标准逻辑电平下可稳定触发，兼容多数微控制器和逻辑IC的输出电平。其±20V的栅源电压耐受能力提供了良好的静电放电（ESD）保护和瞬态过压容忍度，增强了在实际应用中的鲁棒性。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且符合现代绿色电子产品的制造要求。
　　由于采用SOT-23封装，2SJ189不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，便于在高密度PCB布局中使用。其热阻（RθJA）约为350°C/W，设计人员可通过合理布板进一步改善散热效果。该器件经过严格的可靠性测试，包括高温反向偏压（HTRB）、高温栅极偏压（HTGB）等，确保长期使用的稳定性与安全性。

2SJ189广泛应用于需要低功耗、小尺寸和高效率的便携式电子设备中。典型用途之一是作为高端开关用于电源路径控制，例如在单节锂电池供电的产品中，用于控制主电源的通断，实现待机模式或系统复位功能。由于其P沟道特性，无需复杂的电平移位电路即可实现对正电源轨的控制，简化了设计复杂度。
　　在DC-DC转换器中，2SJ189常被用作同步整流器的上管或线性稳压器的调整管，尤其是在轻载或中等负载条件下表现出优异的效率。它也被集成于多芯片模块（MCM）或电源管理集成电路（PMIC）周边，承担辅助电源开关的角色。
　　其他常见应用包括LED驱动电路中的使能控制、USB端口的电流限制与热插拔保护、传感器模块的电源门控以及嵌入式系统的电源排序管理。在工业控制、消费类电子产品（如智能手表、TWS耳机、IoT终端）和医疗可穿戴设备中均有广泛应用。
　　此外，2SJ189还可用于构建简单的电压反转电路或电荷泵结构中的开关元件，利用其快速响应和低泄漏特性提高电路效率。由于其良好的温度稳定性，也可在汽车电子中的非动力总成部分（如车载信息娱乐系统或传感器接口）中使用，前提是工作条件在其额定参数范围内。

SI2301, FDN302P, DMG2301U, ZXMP2001N8TC