时间：2025/9/6 18:47:12
阅读：3
2SJ182是一种P沟道MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和开关电路中。它具有高耐压、低导通电阻以及快速开关特性，适用于多种电子设备和工业应用。该器件通常采用TO-92或类似的封装形式，使其在空间受限的电路板上易于安装。
类型：P沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：-30V
栅源电压(Vgs)：±20V
漏极电流(Id)：-100mA
导通电阻(Rds(on))：约10Ω（最大）
功率耗散(Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C至+150°C
2SJ182的主要特性包括其P沟道结构，使其在关闭状态下具有较低的漏电流，同时在导通状态下提供较高的效率。其漏源电压为-30V，适合用于中低电压应用。该MOSFET的栅极驱动电压范围为±20V，允许使用标准逻辑电平进行控制。此外，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，提高了整体能效。
该器件的封装形式通常为TO-92，具有良好的热稳定性和机械强度，适用于各种环境条件。由于其紧凑的尺寸和优异的电气性能，2SJ182非常适合用于需要小型化和高效能的电路设计中。此外，其较高的工作温度范围使得该MOSFET能够在较为严苛的工业环境中稳定运行。
2SJ182广泛应用于各种电子设备中的电源开关、负载控制和信号处理电路。例如，在电池供电设备中，它可以作为高效的电源开关以延长电池寿命；在工业控制系统中，可用于控制继电器、电机驱动器和其他执行机构；在通信设备中，它可用于信号路由和隔离控制。此外，它还可用于DC-DC转换器、稳压器和逻辑电平转换等应用中。
2SJ103, 2SJ74, 2SJ185
