2SJ174是一款P沟道结型场效应晶体管(JFET),常用于低噪声前置放大器和模拟开关等电路中。该晶体管具有高输入阻抗、低噪声系数和良好的线性特性,适用于音频放大、信号处理和精密测量设备。由于其封装小巧,通常采用TO-92或类似的小型封装形式,便于在各种电路中使用。
类型:P沟道JFET
漏极电流(ID):最大10mA
漏极-源极电压(VDS):最大-30V
栅极-源极电压(VGS):最大-30V
耗散功率(PD):300mW
输入电容(Ciss):约5pF
噪声系数(NF):典型值为0.5dB
跨导(Gm):典型值为3000μS
工作温度范围:-55°C至+150°C
2SJ174具有多项优良的电气特性,使其在低噪声放大应用中表现出色。其高输入阻抗特性可以有效减少对信号源的影响,适用于高阻抗信号源的放大电路。此外,该器件的噪声系数较低,典型值为0.5dB,使其特别适合用于前置放大器、音频放大器和测量仪器中的低噪声信号放大。其跨导值较高,典型值为3000μS,有助于实现良好的增益表现。
在结构方面,2SJ174采用P沟道JFET结构,具备良好的线性特性,能够在小信号放大中保持较高的保真度。其漏极-源极和栅极-源极的耐压能力均达到-30V,使其在多种电路环境下具有较高的稳定性和可靠性。耗散功率为300mW,适用于低功耗设计。
此外,2SJ174的输入电容约为5pF,有助于在高频应用中保持良好的响应特性,适用于中低频信号处理。该器件的工作温度范围宽,从-55°C到+150°C,可在多种环境条件下稳定工作。
2SJ174广泛应用于需要低噪声和高输入阻抗的电子电路中。常见的应用包括音频前置放大器、麦克风前置放大器、高精度测量仪器、信号调理电路以及模拟开关电路。由于其良好的线性特性和低噪声系数,该器件特别适合用于音响设备、医疗仪器、测试设备和通信系统中的关键放大环节。此外,2SJ174还可用于模拟信号处理和低功耗便携式设备中的信号放大与控制。
2SK117(N沟道JFET)、2SK389、BF245C