时间：2025/8/23 8:18:31
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SKR70/02 是一款由意法半导体（STMicroelectronics）推出的功率MOSFET晶体管，属于STPOWER系列中的一部分，主要用于高效率电源转换和功率控制应用。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的芯片设计，具有低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和出色的热稳定性，适用于DC-DC转换器、电机驱动、电池管理系统、负载开关等多种应用场景。SKR70/02 采用 TO-220 封装，具备良好的散热性能，适合中高功率应用。
类型：N沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：70V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）@25°C：80A
导通电阻（Rds(on)）@10V Vgs：最大值约1.8mΩ
导通电阻（Rds(on)）@4.5V Vgs：最大值约2.4mΩ
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装类型：TO-220
功率耗散（Ptot）：160W
SKR70/02 MOSFET采用了STMicroelectronics先进的沟槽栅技术，使得该器件在保持小型化的同时，实现了非常低的导通电阻。其Rds(on)在Vgs为10V时仅约1.8mΩ，有效降低了导通损耗，提高了整体系统效率。此外，该器件具备良好的热稳定性，能在高负载条件下保持稳定运行，适用于要求高可靠性的工业和汽车应用。
该MOSFET的封装形式为TO-220，具备良好的散热能力，适用于中高功率应用。其高电流承载能力（额定连续漏极电流为80A）使其能够胜任如电机驱动、电池管理系统和大功率负载开关等场景。同时，SKR70/02具备良好的抗雪崩能力和过温保护特性，能够在异常工作条件下提供更高的安全性和可靠性。
由于其低栅极电荷（Qg）和快速开关特性，SKR70/02在高频开关应用中表现出色，适用于DC-DC转换器、同步整流器、电源管理模块等高频电源系统。此外，该器件符合RoHS环保标准，广泛应用于现代绿色电子设备中。
SKR70/02 MOSFET适用于多种高功率和高效率电子系统中。其主要应用包括DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、负载开关、工业自动化控制、不间断电源（UPS）以及汽车电子系统等。该器件的高电流能力和低导通电阻使其在高功率密度设计中表现出色，特别是在需要高效能和低发热的电源管理模块中广泛应用。
STP80NF70, STP80N0F7-02, IRF1407, FDP80N07SL
