类型：P沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：30V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：2.5A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.095Ω @ Vgs = 10V
　　功率耗散（Pd）：1W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-23

2SJ106GR作为一款高性能P沟道MOSFET，具备多项优异特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高电源转换效率，适用于要求高效能的电源管理系统。其次，该器件的漏源电压（Vds）为30V，能够满足中低压应用的需求，同时具备较强的过压耐受能力。
　　此外，2SJ106GR的连续漏极电流（Id）为2.5A，能够支持中等功率的开关操作，适用于多种电源控制场合。其栅源电压范围为±20V，具有良好的栅极驱动兼容性，便于与不同类型的驱动电路配合使用。
　　该MOSFET采用SOT-23封装形式，体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用。同时，其功率耗散能力为1W，能够在有限的散热条件下保持稳定工作。工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于工业级环境温度下的可靠运行。
　　综合来看，2SJ106GR具备高效、可靠、紧凑等优点，适合用于电源管理、开关电路、负载开关、DC-DC转换器等多种电子系统设计中。

2SJ106GR主要应用于各类电源管理系统和开关电路中。常见用途包括便携式电子设备（如智能手机、平板电脑）中的负载开关控制、DC-DC转换器中的高边开关、电池供电设备的电源管理模块以及各种小型电源适配器中的开关元件。此外，该器件还可用于工业控制电路、传感器接口电路以及低功耗嵌入式系统的电源管理部分。

Si4435DY, IRML2803, AO3401A, FDN340P