类型：P沟道达林顿晶体管
　　集电极-发射极最大电压（Vceo）：80V
　　集电极-基极最大电压（Vcb）：80V
　　发射极-基极最大电压（Veb）：5V
　　集电极最大持续电流（Ic）：3A
　　最大功耗（Pc）：40W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　电流增益（hFE）：典型值 10000
　　饱和压降（Vce(sat)）：典型值 1.5V @ Ic = 2A, Ib = 20mA
　　封装形式：TO-220

2SD762的核心特性之一是其达林顿晶体管结构，这一设计显著提升了电流放大能力。达林顿对管由两个背靠背连接的PNP晶体管构成，前级晶体管的发射极连接到后级晶体管的基极，整体形成一个超高增益的复合晶体管。这种结构使2SD762在极小的输入基极电流下即可控制高达数安培的负载电流，典型电流增益可达10000以上，远高于普通单BJT器件。这使得它特别适用于微控制器I/O口驱动、逻辑电平转换以及需要弱信号驱动强负载的应用场景。
　　该器件具备较高的电压耐受能力，集电极-发射极最大电压可达80V，允许其在多种直流电源系统中安全运行，如12V、24V甚至48V工业控制系统中作为开关元件。此外，其最大集电极电流为3A，支持中等功率负载的直接驱动，例如电磁继电器、小型直流电机、加热元件或照明灯具等。
　　尽管具备高增益和大电流能力，2SD762也存在典型达林顿结构的固有缺点——较高的饱和压降。在完全导通状态下，其Vce(sat)典型值约为1.5V，这意味着在通过2A电流时，仅晶体管本身的功耗就达到3W（P = V × I），必须配备适当的散热措施以防止过热损坏。此外，达林顿结构还导致相对较慢的开关速度，尤其是在关闭过程中，由于内部电荷存储效应，关断延迟时间较长，限制了其在高频PWM调光或高速开关电源中的应用。
　　2SD762采用TO-220封装，具有优良的热传导性能，可通过安装散热片进一步提升散热效率。该封装也便于手工焊接和维修，适合原型开发与小批量生产。总体而言，2SD762是一款结构成熟、性能稳定的功率开关器件，适用于对开关频率要求不高但需要高增益、大电流驱动能力的场合。

2SD762主要用于各类需要高增益、大电流驱动能力的低频开关电路中。其典型应用场景包括继电器驱动电路，特别是在自动化控制柜、PLC模块或家用电器中，当微控制器输出电流不足以直接激励继电器线圈时，2SD762可作为中间驱动级，实现小信号对大功率负载的控制。由于其高输入阻抗和低驱动电流需求，非常适合与数字逻辑电路（如5V TTL或CMOS输出）直接接口，无需额外的缓冲级。
　　另一个重要应用是电机控制，尤其是小型直流电机的启停控制。虽然不适用于H桥双向驱动或高频PWM调速（因其开关速度较慢且饱和压降高），但在简单的单向启停或定速驱动系统中表现良好。例如，在打印机、复印机、风扇或玩具车中，可用作电机的电源开关元件。
　　此外，2SD762也可用于灯光控制系统，如驱动卤素灯、LED阵列或霓虹指示灯。在这些应用中，负载往往具有较大的启动电流，而2SD762的高电流承载能力和过载容忍度使其能可靠工作。配合限流电阻和保护二极管（如反向并联续流二极管），可以有效抑制感性负载产生的反电动势，提高系统稳定性与寿命。
　　在电源管理方面，该器件可用于过压保护电路、稳压电源的调整管或电池充放电控制回路。例如，在线性稳压器设计中，2SD762可作为串联调整管使用，配合基准电压源和误差放大器调节输出电压。但由于其较高的压降和较低效率，这类应用多见于对效率要求不高的低功耗系统中。
　　此外，在教学实验和电子爱好者项目中，2SD762因其结构直观、参数明确、易于测试而被广泛使用，有助于理解达林顿管的工作原理、电流放大机制以及功率器件的热管理设计。

2SD880
　　BDW94C
　　TIP127
　　2N6426