类型：NPN BJT
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：300 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：300 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：7 V
　　集电极连续电流（IC）：1.5 A
　　集电极峰值电流（IC peak）：3 A
　　总耗散功率（PD）：50 W
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　存储温度范围（Tstg）：-55 至 +150 °C
　　直流电流增益（hFE）：80 至 320（测试条件 IC = 150mA, VCE = 5V）
　　饱和压降（VCE(sat)）：≤ 0.3 V（典型值，IC = 1.5A, IB = 150mA）
　　过渡频率（fT）：约 10 MHz
　　封装形式：SOT-426FL (TO-247AD)

2SD2654TLV具备优异的电气性能与热管理能力，能够在高温环境下保持稳定的电流放大能力。其高击穿电压（300V）确保了在高压开关电路中的安全运行，例如在离线式反激变换器或ZVS谐振转换器中作为主开关管使用时，能够有效应对瞬态过压冲击。该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，在不同负载条件下均能提供可靠的增益表现，有助于简化外围偏置电路设计。
　　采用TO-247AD封装形式，使得2SD2654TLV拥有较低的热阻（Rth(j-c)），从而提高了功率处理能力和长期工作的可靠性。这种封装还支持通孔安装和表面贴装两种方式，适应多种生产工艺需求。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，满足现代电子产品对绿色环保的要求。
　　该晶体管经过严格的老化测试和可靠性验证，具备出色的抗二次击穿能力，尤其适用于感性负载切换场景，如驱动变压器或电磁阀。其快速的开关响应特性结合低饱和压降，显著降低了导通损耗，提升了系统整体效率。同时，较低的输入电容和密勒电容也减少了驱动电路的负担，有利于高频操作下的稳定性。
　　2SD2654TLV在设计上优化了基极-发射极间的耐压能力，避免因误操作或静电放电（ESD）导致早期失效。整体而言，这款晶体管以其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为中功率模拟与数字电路中不可或缺的关键元件之一。

2SD2654TLV广泛应用于各类需要中高电压与中等电流控制的电子系统中。常见用途包括彩色电视机与显示器的水平输出级扫描电路、开关模式电源（SMPS）中的功率开关管、LED照明驱动电路、家用电器中的电机控制模块以及工业用继电器驱动电路。由于其高达300V的耐压能力，特别适合用于离线式电源设计，如AC-DC转换器的一次侧开关应用。此外，在UPS不间断电源、电子镇流器、电池充电器和DC-DC变换器中也能见到其身影。得益于良好的线性放大特性，它也可用于音频放大器的末级推动级或前置功率放大环节。该器件还常被用于各种消费类电子产品中的脉冲宽度调制（PWM）控制回路，实现精确的能量调节。其坚固的结构和稳定的性能使其在恶劣环境下的长期运行中表现出色，因此也被选用在部分工业控制和自动化设备中。随着节能与小型化趋势的发展，2SD2654TLV凭借其高效能与紧凑封装，在绿色能源相关设备如太阳能逆变器辅助电源部分也有潜在应用价值。

2SC4468,KSC2690,2SD1886,MJE13005