类型：NPN 型晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：150mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Ptot）：300mW
　　频率响应（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 至 800（根据等级划分）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

2SD2165-M 晶体管具有优异的电流放大性能，其 hFE 值范围广泛，可以满足不同电路设计的需求。该晶体管在高频应用中表现出色，适用于 100MHz 以下的信号放大和处理。此外，其最大功耗为 300mW，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适用于各种工业和消费类电子产品。
　　该晶体管采用 TO-92 封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，便于安装和焊接。2SD2165-M 的 Vce 和 Vcb 最大电压均为 50V，使其在高压环境中依然能够保持稳定运行。其 Ic 最大电流为 150mA，适合用于中等功率放大和开关控制应用。
　　这款晶体管的封装设计紧凑，适合在空间受限的电路板上使用。此外，由于其广泛的工作温度范围，2SD2165-M 可以在极端环境下正常工作，确保了电子设备的可靠性。

2SD2165-M 主要应用于音频放大器、射频（RF）放大器、电源开关电路、逻辑电路以及各种通用电子设备中。其高频特性和稳定的电流放大能力使其成为许多电子设计中的首选晶体管。

2N3904, BC547, 2SD1665