晶体管类型：NPN型双极性晶体管
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（VCE）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCB）：50V
　　最大发射极-基极电压（VEB）：5V
　　最大功耗（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于测试条件）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

2SD2163-K-AZ 具有优异的高频性能，能够在高达100MHz的频率下稳定工作，适用于射频信号放大器和中频放大电路。该晶体管的电流增益范围较宽，hFE可以在110到800之间变化，这使得它在多种放大电路设计中具有良好的适应性。此外，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），有助于降低功耗并提高电路效率。
　　其SOT-23封装体积小巧，便于在高密度PCB设计中使用，同时具备良好的热稳定性和机械强度。2SD2163-K-AZ的基极-发射极电压（VEB）限制为5V，设计时需要注意防止过压损坏。
　　由于其良好的噪声性能和频率响应，该晶体管常用于音频放大、射频前端、无线通信模块、传感器信号调理等应用中。

2SD2163-K-AZ 主要用于需要高频放大和低噪声性能的电子电路中。典型应用包括射频信号放大器、中频放大器、音频前置放大器、无线通信设备中的信号处理电路、传感器信号调理电路、以及各类便携式电子设备中的模拟信号处理模块。该晶体管也适用于开关电路，特别是在需要快速开关和低功耗的应用中表现出色。

2N3904, BC547, 2SC3199, 2SD2164