RF6569TR13 时间：2025/8/16 2:38:56 阅读：7

RF6569TR13 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的射频（RF）晶体管，广泛应用于无线通信系统中的功率放大器设计。该器件是一种 NPN 型异质结双极晶体管（HBT），采用先进的 GaAs（砷化镓）工艺制造，具有高功率增益、优异的线性度和高效率。RF6569TR13 特别适用于蜂窝通信、Wi-Fi 和其他射频发射系统。其紧凑的封装和卓越的性能使其成为设计高可靠性射频功率放大器的理想选择。

参数

类型：NPN 型异质结双极晶体管（HBT）
　　材料：GaAs
　　工作频率范围：DC 至 2.5 GHz
　　最大输出功率：28 dBm（典型值）
　　功率增益：18 dB（典型值）
　　集电极-发射极电压（Vce）：12 V
　　集电极电流（Ic）：150 mA（最大值）
　　封装类型：SOT-89
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C

特性

RF6569TR13 是一款高性能射频晶体管，具备优异的功率放大性能和稳定性。该器件在 2.5 GHz 以下的频率范围内表现出色，适用于多种无线通信应用。其主要特性包括高功率增益（典型值为18 dB），能够有效放大射频信号，减少后续放大级的需求，从而简化电路设计。此外，该晶体管具有较高的线性度，能够在保持信号完整性的同时实现高效的功率输出，适用于对信号质量要求较高的系统。
　　该晶体管的最大输出功率可达 28 dBm（典型值），适用于中等功率的射频放大器设计。其工作电压为 12 V，集电极电流最大可达 150 mA，能够在较宽的偏置条件下稳定工作。SOT-89 封装形式不仅节省空间，而且便于散热，适合高密度 PCB 布局。
　　RF6569TR13 还具有良好的温度稳定性，在 -40°C 至 +85°C 的宽温度范围内仍能保持性能稳定，适用于各种恶劣环境下的通信设备。该器件在蜂窝基站、Wi-Fi 接入点、射频测试设备以及工业控制系统中均有广泛应用。