晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　频率（fT）：100MHz
　　直流电流增益（hFE）：110-800（取决于电流）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

2SD2114KVLT1G晶体管具有多个显著特性。首先，其高频性能使其非常适合用于射频（RF）和高频放大电路。该晶体管的fT（过渡频率）为100MHz，意味着它可以在较高的频率下保持良好的增益和稳定性。其次，该器件具有较高的电流增益（hFE），其范围为110至800，具体值取决于工作电流。这使得它能够用于各种放大电路，包括音频前置放大器和信号增强电路。此外，该晶体管的最大集电极电流为100mA，最大集电极-发射极电压为50V，能够在较高的电压和电流条件下稳定工作。它还具有较低的饱和电压（Vce_sat），这有助于减少功率损耗并提高效率。2SD2114KVLT1G采用SOT-23封装，体积小巧，便于在紧凑的PCB布局中使用，并且支持表面贴装工艺，提高了生产效率和可靠性。最后，该晶体管的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。

2SD2114KVLT1G晶体管广泛应用于多个领域。首先，在通信设备中，它常用于射频（RF）放大器和信号调节电路，能够有效增强高频信号。其次，在音频放大器中，该晶体管可用于前置放大器级，提供高增益和低噪声性能。此外，它也适用于电源管理电路，如DC-DC转换器中的开关元件，其高频率特性和低饱和电压有助于提高效率。在消费电子产品中，如电视、音响系统和便携式设备中，该晶体管可用于各种信号处理和控制电路。由于其高可靠性和宽温度范围，它也适用于工业控制系统和汽车电子设备。

BC547, 2N3904, 2SD2114K