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2SD2114K-V/BBV 发布时间 时间:2025/8/6 17:00:16 查看 阅读:33

2SD2114K-V/BBV 是一款由东芝(Toshiba)生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),广泛应用于音频放大、功率放大及开关电路等电子设备中。该晶体管采用小型表面贴装封装(SOT-89),适合高密度电路设计。2SD2114K-V/BBV具有较高的电流放大系数和良好的频率响应特性,适用于多种模拟和数字电路中的放大和开关应用。

参数

晶体管类型:NPN BJT
  最大集电极-发射极电压(VCEO):50V
  最大集电极电流(IC):150mA
  最大功率耗散(PD):300mW
  电流增益(hFE):110至800(根据等级不同)
  过渡频率(fT):100MHz
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

2SD2114K-V/BBV 晶体管具备多项优异特性,使其在各种电子应用中表现出色。
  首先,该晶体管采用了先进的硅外延平面技术,具有稳定的电流增益(hFE)和良好的温度稳定性,能够在宽温度范围内保持高性能工作。其hFE值范围为110至800,具体取决于等级(如O档、Y档、GR档、BL档等),便于用户根据设计需求选择合适的型号。
  其次,2SD2114K-V/BBV 的最大集电极-发射极电压(VCEO)为50V,最大集电极电流(IC)为150mA,最大功率耗散(PD)为300mW,能够满足中等功率放大和开关电路的需求。其高频特性表现良好,过渡频率(fT)可达100MHz,适用于音频放大器和中频放大电路。
  此外,该晶体管采用SOT-89小型表面贴装封装,便于自动化生产和高密度PCB布局,同时具有良好的散热性能。SOT-89封装结构也提高了晶体管的机械强度和可靠性。
  2SD2114K-V/BBV 还具有低噪声特性,适用于音频前置放大器和高保真音响设备。其基极-发射极电压(VBE)较低,有助于降低功耗并提高电路效率。
  最后,该晶体管具有较高的可靠性和较长的使用寿命,符合工业级标准,适用于多种环境条件,包括高温和高湿环境。

应用

2SD2114K-V/BBV 适用于多种电子电路,常见的应用包括:
  1. 音频放大器:该晶体管的低噪声和高增益特性使其非常适合用于音频前置放大器和功率放大器,提升音频信号的质量。
  2. 开关电路:由于其良好的电流控制能力和较高的最大集电极电流,2SD2114K-V/BBV 可用于数字电路中的开关元件,适用于LED驱动、继电器控制等场景。
  3. 电压调节器:在稳压电源设计中,该晶体管可用于调整管,帮助实现稳定的输出电压。
  4. 信号放大与缓冲:在射频和中频电路中,2SD2114K-V/BBV 可用于信号放大和缓冲,确保信号的完整性和稳定性。
  5. 工业控制系统:该晶体管可应用于工业自动化设备中的传感器信号处理和执行器控制电路,提高系统的响应速度和可靠性。
  6. 便携式电子设备:由于其SOT-89封装体积小、功耗低,2SD2114K-V/BBV 适用于便携式电子产品,如MP3播放器、无线耳机、手持式测试仪器等。

替代型号

2SD2114K-V/BBL、2SD2114K-O/BBL、2SD2114K-Y/BBL、2SD2114K-GR/BBL、2SD2114K-BL/BBL

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