类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：2A
　　最大集电极耗散功率（PC）：25W（带散热器）
　　直流电流增益（hFE）：100～400（典型值，测试条件IC=500mA）
　　集射极饱和电压（VCE(sat)）：≤0.3V（典型值，IC=1.5A, IB=150mA）
　　基射极开启电压（VBE(on)）：约1.2V（IC=1.5A）
　　过渡频率（fT）：≥5MHz（典型值）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：TO-126

2SD2100-TD-E晶体管具备优异的高频响应能力和稳定的直流偏置特性，使其在多种模拟与数字电路中表现出色。其核心优势之一在于高电流增益（hFE），通常在100至400之间，这使得即使在较小的基极驱动电流下也能实现较大的集电极电流输出，从而提升驱动效率并减少前级电路的负载压力。该器件在大电流工作状态下仍能维持较低的集射极饱和电压（VCE(sat)），有效降低了导通损耗，提高了整体系统的能效表现，特别适用于电池供电或对能耗敏感的应用场景。
　　该晶体管采用硅外延平面工艺制造，具有良好的热稳定性和长期可靠性。其金属封装（TO-126）不仅提供了出色的机械强度，还具备优良的热传导性能，允许通过外部散热片进一步增强散热效果，从而支持持续高功率运行。此外，该器件具有较高的击穿电压额定值（VCEO = 50V），能够在瞬态过压情况下提供一定的安全裕量，增强了系统抗干扰能力。
　　2SD2100-TD-E的工作频率可达5MHz以上，适用于中频放大和高速开关操作，可用于构建高性能的脉冲调制电路或音频功率输出级。其宽泛的工作温度范围（-55°C 至 +150°C）使该器件可在极端环境下稳定运行，满足工业级和汽车电子领域的严苛要求。综合来看，该晶体管以其均衡的电气性能、可靠的封装结构和广泛的工作范围，成为众多中功率电子设计中的优选器件。

2SD2100-TD-E广泛应用于各类需要中等功率放大或开关控制的电子系统中。常见用途包括直流电机驱动电路，其中作为H桥或推挽输出级的主控元件，能够承受较大的负载电流并实现快速启停控制；在开关模式电源（SMPS）中，该晶体管可用作主开关或同步整流器的驱动级，配合PWM控制器实现高效的能量转换；此外，也常用于线性稳压电源的调整管部分，特别是在低压差、中电流输出的设计中发挥重要作用。
　　在消费类电子产品中，2SD2100-TD-E可用于音频放大器的末级输出，驱动扬声器或耳机，提供清晰的声音还原和足够的输出功率。其良好的线性放大特性和适度的频响宽度，使其在低频至中频段表现尤为出色。在工业自动化领域，该器件可用于PLC模块中的继电器驱动、电磁阀控制或传感器信号调理电路，实现强弱电之间的隔离与驱动功能。
　　此外，2SD2100-TD-E还可用于逆变器、UPS不间断电源、LED恒流驱动电源以及充电器等设备中，作为功率开关或电流调节元件。由于其具备较强的抗浪涌能力和环境适应性，因此也适用于户外设备或车载电子系统中的电源管理单元。总之，该晶体管凭借其多功能性和高可靠性，已成为现代电子设计中不可或缺的基础元器件之一。

MJE2955T4G
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　　TIP41C