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LP3409T1G 发布时间 时间:2025/8/13 3:06:44 查看 阅读:23

LP3409T1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的高压、高频升压型DC-DC转换器控制器,专为驱动外部N沟道MOSFET而设计。该器件广泛应用于需要高电压输出的场合,例如LED背光驱动、工业电源和电池充电器等。LP3409T1G采用电流模式控制,具有宽输入电压范围(4.5V至75V),可实现高效率的升压转换。该器件内置频率补偿功能,简化了外部电路设计,并具有多种保护功能,如过流保护、过压保护和欠压锁定。

参数

工作电压范围:4.5V至75V
  输出电压范围:可达100V以上(取决于外部元件)
  开关频率:最高可达1.2MHz(可通过外部电阻调节)
  最大占空比:90%以上
  误差放大器带宽:10MHz
  工作温度范围:-40°C至+125°C
  封装形式:8引脚TSSOP
  控制器类型:电流模式升压控制器

特性

LP3409T1G具有多项高性能特性,适用于复杂电源管理场景。
  首先,其宽输入电压范围(4.5V至75V)使其能够适应多种电源输入条件,适用于多种工业和汽车应用。该控制器采用电流模式控制架构,能够提供良好的线性调整率和负载调整率,确保输出电压稳定。此外,LP3409T1G的开关频率可调,最高可达1.2MHz,允许用户根据应用需求优化外部元件尺寸和效率。高频操作有助于减小外部电感和电容的尺寸,从而节省PCB空间。
  其次,该器件内置了多种保护机制,如逐周期电流限制、软启动、输入欠压锁定(UVLO)和输出过压保护(OVP),以增强系统的稳定性和可靠性。这些保护功能有助于防止在异常条件下对系统造成损坏,提高整体系统安全性。
  再者,LP3409T1G采用8引脚TSSOP封装,具有良好的热性能和空间利用率,适合高密度电路设计。该器件的误差放大器具有10MHz的带宽,支持快速的瞬态响应,使其在负载变化频繁的应用中表现出色。
  此外,LP3409T1G的外部MOSFET驱动能力较强,可驱动高功率MOSFET,适用于高输出功率应用。其内部频率补偿功能减少了外部元件数量,简化了设计流程,降低了设计复杂度。

应用

LP3409T1G广泛应用于需要高电压输出的电源系统中。
  主要应用包括LED背光驱动电源,特别是在大尺寸LCD显示器和电视中,需要高电压来驱动多个LED串的应用场景。由于其高频工作能力,可以使用较小的外部元件,从而实现紧凑的设计。
  此外,该器件适用于工业电源系统,如PLC、传感器供电模块和自动化设备中的电源转换模块。其宽输入电压范围使其能够适应不同的工业电源标准,如24V直流供电系统。
  在汽车电子领域,LP3409T1G可用于车载电源转换器,例如将12V或48V电池电压升压至更高的电压以驱动特定负载,如照明系统、车载信息娱乐系统电源等。
  同时,该器件也适用于电池充电器、太阳能逆变器以及通用升压电源转换器等应用。其高效率和多种保护功能使其在这些高可靠性应用中表现出色。

替代型号

NCP3409, LM5155, TPS61175

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