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2SD2098T100R 发布时间 时间:2025/5/10 15:52:17 查看 阅读:9

2SD2098T100R是一款NPN型双极性晶体管,广泛应用于高频、大功率放大和开关电路中。该型号晶体管以其高增益、低噪声特性和良好的线性度而著称,适用于射频(RF)放大器、无线通信设备以及其他需要高性能的电子电路设计。
  这款晶体管采用了先进的制造工艺,能够在较高的频率下保持稳定的性能表现。其主要用途包括功率放大器、驱动器以及各类高频信号处理电路。

参数

集电极-发射极电压:100V
  集电极电流:15A
  直流电流增益(hFE):30~120
  特征频率(fT):700MHz
  热阻(Rth):1.5℃/W
  最大耗散功率:180W
  工作温度范围:-55℃~150℃

特性

2SD2098T100R具有高频率响应能力,能够满足现代高频应用的需求。此外,它的低噪声性能使得它非常适合用于射频放大器的设计。
  该晶体管还拥有较高的击穿电压和较大的电流承载能力,这使其在功率放大和开关电路中表现出色。
  同时,它具备优良的热稳定性,在高温环境下也能稳定运行,这为工业级或恶劣环境下的应用提供了可靠保障。
  总之,这款晶体管凭借其出色的电气性能和可靠性,成为许多高性能电路设计的理想选择。

应用

2SD2098T100R常用于以下领域:
  1. 射频功率放大器
  2. 高频开关电路
  3. 无线通信设备
  4. 工业控制与自动化系统
  5. 汽车电子
  6. 音频功率放大器
  这些应用场景都充分利用了该晶体管的高频特性、大功率处理能力和低噪声性能。

替代型号

2SD2098, MRF470, BUX39

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2SD2098T100R参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)5A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)1V @ 100mA,4A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)180 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大2W
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装MPT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SD2098T100R-ND2SD2098T100RTR