类型：N沟道MOSFET
　　漏极电流（ID）：300 mA（最大值）
　　漏极-源极击穿电压（VDS）：20 V
　　栅极-源极电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（RDS(on)）：3.5 Ω（最大值，VGS=4.5V）
　　功率耗散（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：TSMT6（TSM6）

QN3102M6N具有多个优良特性，适用于各种电源管理和开关应用。首先，其低导通电阻确保了在导通状态下具有较小的电压降，从而减少了能量损耗并提高了整体效率。其次，该MOSFET的栅极驱动电压范围较宽，可在4.5V至12V之间正常工作，使得其兼容多种驱动电路。此外，QN3102M6N采用了ROHM的先进工艺技术，确保了器件在高温和高负载条件下的稳定性，从而提高了长期使用的可靠性。
　　该器件的封装形式为TSMT6，具有较小的尺寸和良好的散热性能，非常适合用于空间受限的设计中。同时，其表面贴装封装便于在自动化生产线上进行安装，降低了制造成本。此外，QN3102M6N还具备良好的抗静电能力，能够在一定程度上防止静电损坏，提高产品的耐用性。
　　该MOSFET的开关速度快，有助于减少开关过程中的能量损耗，适用于高频开关应用。同时，其内部结构优化，降低了寄生电容，从而进一步提升了开关性能。这些特性使得QN3102M6N特别适合用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统等应用。

QN3102M6N广泛应用于多个领域，包括电源管理、消费电子、工业控制和便携式设备。在DC-DC转换器中，该MOSFET可作为高效开关元件，提升转换效率。在负载开关电路中，它可以用于控制电源的通断，保护下游电路免受过载或短路的影响。此外，QN3102M6N还可用于电池供电设备中的电源切换和管理，确保设备在不同电源模式下的稳定运行。
　　在消费电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，QN3102M6N可用于电源管理模块，实现对各个子系统的电源控制，优化功耗并延长电池续航时间。在工业控制系统中，该器件可用于PLC、传感器模块和电机驱动电路，提供可靠的开关控制功能。此外，在LED照明系统中，它也可作为开关元件，实现对LED灯组的高效驱动。

Si2302DS, 2N3904, DMG23DSU018