类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：300 V
　　集电极-基极电压（VCBO）：300 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：7 V
　　集电极电流（IC）：1.5 A
　　功耗（PD）：2 W
　　直流电流增益（hFE）：120 至 400
　　过渡频率（fT）：5 MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55 至 +150 °C
　　封装形式：TO-126

2SD2008作为一款中功率NPN晶体管，具备多项优异的电气与物理特性，适用于多种模拟与数字电路环境。其核心特性之一是高电流增益（hFE），典型值在120至400之间，这一范围使得它在小信号放大阶段能够实现稳定的增益控制，减少外部补偿元件的需求，提升整体电路的稳定性。特别是在音频前置放大器或多级放大电路中，这种高且一致的电流放大系数有助于降低失真并提高信噪比。
　　该器件的集电极-发射极击穿电压高达300V，使其能够在高压环境中可靠运行，例如在开关电源、荧光灯镇流器或继电器驱动电路中作为开关元件使用。同时，其最大集电极电流为1.5A，允许其驱动中等负载而无需额外的功率级扩展，简化了系统设计复杂度。尽管其最大功耗为2W，但在实际应用中建议结合散热片使用，尤其是在连续导通状态下，以延长器件寿命并防止因过热导致的性能下降或损坏。
　　2SD2008的过渡频率（fT）为5MHz，表明其具备一定的高频响应能力，虽然不适用于射频放大等极高频场合，但对于音频范围（20Hz–20kHz）内的信号处理完全足够，并可在部分中频开关应用中表现良好。此外，该晶体管采用TO-126封装，具有良好的热传导性能和机械强度，便于安装在印刷电路板上并通过螺钉固定到散热器上。TO-126封装还提供了比TO-92更大的散热面积，提升了功率处理能力。
　　从制造工艺来看，2SD2008基于成熟的硅双极工艺生产，具备良好的批次一致性与长期可靠性，适合批量生产和自动化装配。其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境条件，包括工业控制设备和户外电子装置。此外，较低的饱和压降（通常Vce(sat) < 0.3V @ IC = 150mA）意味着在开关模式下能量损耗较小，提高了系统的能效水平。综合这些特性，2SD2008成为一种兼具高性能与经济性的通用放大与开关晶体管。

2SD2008广泛应用于各类电子系统中，尤其在需要中等功率放大或信号控制的场景中表现出色。其主要应用领域包括音频放大器的驱动级，用于增强前级信号以推动末级功率管或扬声器负载。由于其高电流增益和低失真特性，常被用作家用音响、有源音箱和电视伴音系统的信号放大元件。
　　在电源管理方面，2SD2008可用于线性稳压电源中的调整管，或在开关模式电源（SMPS）中作为初级侧的驱动晶体管，控制变压器的通断状态。其300V的耐压能力使其适用于离线式电源设计，尤其是在低功率AC-DC转换器中作为反馈回路或启动电路的一部分。
　　此外，该晶体管也常见于工业控制电路中，如PLC输出模块、电机驱动接口和电磁阀控制单元，利用其快速开关能力和负载驱动性能实现对执行机构的有效控制。在消费类电子产品中，如洗衣机、微波炉和空调控制器中，2SD2008常用于继电器或蜂鸣器的驱动电路，将微控制器的低电平信号转换为足以激活外部组件的电流输出。
　　由于其具备良好的温度稳定性和抗干扰能力，2SD2008也可用于传感器信号调理电路，例如将热敏电阻或光敏元件的微弱变化放大为可读电压信号。在测试仪器和测量设备中，它同样可以作为缓冲级或电流源使用。总体而言，2SD2008凭借其可靠的性能和广泛的适用性，成为众多中功率模拟与数字混合电路中的关键元器件。

MJE2008
　　KSC2008
　　BC639
　　TIP41C