类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（Vceo）：50V
　　集电极-基极电压（Vcbo）：50V
　　发射极-基极电压（Vebo）：5V
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：150mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：SOT-23
　　增益（hFE）：110-800（根据电流和电压条件）
　　过渡频率（fT）：100MHz

2SD1781K(T146R)具有多项优异特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高过渡频率（fT）达到100MHz，使该晶体管能够有效用于高频放大器和射频电路。其次，晶体管的增益（hFE）范围较宽，从110到800，这使得它在不同工作条件下都能提供良好的放大性能。此外，该晶体管的集电极-发射极电压（Vceo）和集电极-基极电压（Vcbo）均为50V，使其在中等电压环境下具有良好的耐压能力。其小型SOT-23封装不仅节省空间，还提供了良好的热稳定性和机械强度。2SD1781K(T146R)的工作温度范围为-55°C至+150°C，确保其在极端环境条件下也能稳定运行。

2SD1781K(T146R)广泛应用于多种电子设备和电路中。主要应用包括高频放大器、射频信号放大器、开关电路以及通用放大电路。由于其高频率响应特性，该晶体管常用于无线通信设备、射频模块和高频信号处理电路中。此外，其小型SOT-23封装也使其适用于需要紧凑设计的便携式电子设备，如智能手机、无线耳机和射频识别（RFID）标签。在工业自动化和控制系统中，该晶体管也可用于传感器信号放大和开关控制。

2SD1781K(T146R)的替代型号包括2SD1781K(T146)和2SD1781K(T146S)，它们具有相似的电气特性和封装形式，可根据具体需求选择使用。