晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据等级不同）

2SD1766 R 晶体管具有以下主要特性：
　　1. 高频性能优异：其增益带宽积达到100MHz，适合高频放大电路的设计和应用。
　　2. 电流增益范围广：hFE值在110到800之间，根据不同的等级划分，可以满足不同放大需求。
　　3. 低噪声特性：适用于需要低噪声放大的电路设计，例如音频放大器和射频前端电路。
　　4. 小型封装：采用TO-92或类似的紧凑封装形式，便于在空间有限的电路板上安装和使用。
　　5. 稳定性好：在较宽的温度范围内保持稳定的性能，能够在-55°C至+150°C的环境下正常工作。
　　6. 高可靠性：经过严格的质量控制，具有较长的使用寿命和稳定的电气特性。
　　7. 易于使用：作为标准的NPN晶体管，它的引脚排列和使用方法简单，适合初学者和专业工程师使用。
　　这些特性使2SD1766 R 成为一种多功能的晶体管，广泛应用于各种高频和低噪声电路中。

2SD1766 R 晶体管的应用包括：
　　1. 高频放大器：用于射频（RF）信号放大，例如在无线通信设备和射频前端电路中。
　　2. 音频放大器：用于音频信号的前置放大，尤其是在需要低噪声放大的场合。
　　3. 开关电路：用于数字电路中的开关控制，例如在逻辑门电路和驱动电路中。
　　4. 振荡器：用于产生高频信号的振荡电路，例如在时钟发生器和信号发生器中。
　　5. 传感器电路：用于传感器信号的放大和处理，例如在温度传感器、光传感器等应用中。
　　6. 电源管理：用于小型电源管理系统中的控制和调节电路。
　　7. 电子玩具和消费电子产品：用于低成本和小型化设计的电子设备中。

2SD1765 R, 2SD2176, 2N3904