类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　最大集电极电流（IC）：3A
　　最大总耗散功率（PT）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：400～1000（测试条件IC=500mA, VCE=2V）
　　集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）：≤0.3V（典型值），IC=2A, IB=200mA时
　　过渡频率（fT）：150MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C
　　封装形式：SOT-89（SC-62）

2SD1683-T具备出色的电流放大能力和稳定的高频响应特性，其直流电流增益（hFE）范围为400至1000，在典型工作条件下表现出高度一致性，适合对增益稳定性要求较高的模拟放大电路。该晶体管采用了优化的掺杂工艺和结构设计，有效降低了基区电阻和寄生电容，从而提升了高频性能和开关速度。其过渡频率高达150MHz，能够在中高频信号处理场合中保持良好的增益带宽积。
　　在开关应用方面，2SD1683-T的集电极-发射极饱和电压非常低，在IC=2A且IB=200mA的测试条件下，VCE(sat)典型值仅为0.3V，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体能效。这对于电池供电设备或需要长时间连续运行的工业控制装置尤为重要。此外，器件的热阻特性经过优化，确保在高负载工作状态下仍能维持较低的结温升，增强了长期运行的可靠性。
　　2SD1683-T采用SOT-89小型化表面贴装封装，不仅节省PCB空间，还通过金属片外露设计增强了散热能力。这种封装方式支持自动化贴片生产，适用于大规模电子产品制造流程。同时，该器件通过了严格的可靠性测试，包括高温反向偏置测试（HTRB）、高温栅极偏置测试（HTGB）以及温度循环测试，确保在严苛环境下的稳定运行。其宽广的工作温度范围（-55°C至+150°C）使其可在极端气候条件或高温工业环境中可靠工作。

2SD1683-T被广泛应用于各类中功率电子系统中，尤其适合作为开关元件或线性放大器使用。在DC-DC转换器中，它常用于升压（Boost）、降压（Buck）或反激式拓扑结构中的驱动级，凭借其高电流增益和低饱和压降，能够有效提升转换效率并减少发热问题。在电机驱动电路中，该晶体管可用于控制小型直流电机或步进电机的启停与方向切换，其3A的额定集电极电流足以满足大多数微型电机的驱动需求。
　　在电源管理模块中，2SD1683-T可用于稳压器的调整管或过流保护电路中的传感开关元件。由于其具备良好的热稳定性和电流承载能力，因此在持续负载条件下表现优异。此外，在音频放大器前级或末级驱动电路中，该器件可作为电压或电流放大级，提供足够的信号增益以驱动后续负载。
　　其他常见应用场景还包括继电器或电磁阀的驱动接口电路，利用其高输入阻抗和强输出驱动能力实现微控制器与大功率执行机构之间的隔离与驱动匹配。同时，也适用于LED照明驱动、充电控制电路、逆变器以及家用电器控制板等领域。得益于其小型封装和高性能指标，2SD1683-T成为许多嵌入式系统和便携式设备中的理想选择。

MMBT3904、2SD1666、KSC3265、FMMT413、ZTX605