晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：50V
　　发射极-基极电压（VEBO）：5V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110 ~ 800（根据不同等级）

2SD1664SOT-89-3L 晶体管具备多项优良特性，使其在高频应用中表现出色。首先，其高频响应能力得益于较高的增益带宽积（fT）值，能够满足射频（RF）和中频（IF）放大器的需求。其次，该晶体管具有较低的饱和压降（VCE(sat)），在开关应用中能够有效减少功耗并提高效率。
　　此外，2SD1664SOT-89-3L 的 SOT-89-3L 封装具有良好的热性能和机械稳定性，能够在紧凑的 PCB 布局中提供可靠的散热性能。该封装形式也使得晶体管适用于表面贴装技术（SMT），提高了自动化生产的效率。
　　在电气性能方面，2SD1664SOT-89-3L 提供了较宽的电流增益（hFE）范围，用户可以根据具体需求选择不同等级的产品，从而优化电路性能。同时，其较低的输入电容（Cob）也有助于减少高频信号的失真，提高电路的稳定性。
　　该晶体管还具有良好的温度稳定性和抗干扰能力，适合在各种环境条件下工作。无论是用于音频放大、射频信号处理，还是作为高速开关使用，2SD1664SOT-89-3L 都能提供稳定的性能表现。

2SD1664SOT-89-3L 晶体管广泛应用于多个领域。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器和信号处理电路中，以提升音频质量和系统响应速度。在通信设备中，该晶体管可用于射频信号的放大和调制，确保信号传输的稳定性和清晰度。
　　在工业控制系统中，2SD1664SOT-89-3L 可用于驱动继电器、LED 和小型电机等负载，其低饱和压降和高开关速度使其在需要快速响应的应用中表现优异。此外，该晶体管还可用于传感器信号放大，提高测量精度。
　　由于其紧凑的 SOT-89-3L 封装和良好的热性能，2SD1664SOT-89-3L 也适用于空间受限的便携式设备和模块化设计，如无线通信模块、智能穿戴设备和嵌入式系统。

2N3904、2N2222、BC547、2SD1664-O、2SD1664-Y