时间：2025/8/2 7:29:01
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2SD1624S-TD-E是一款NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于高功率放大和开关应用。该器件由东芝（Toshiba）公司生产，采用了先进的硅工艺制造，具备高可靠性和良好的热稳定性。其封装形式为TO-252（DPAK），适合表面贴装技术（SMT）应用，广泛应用于工业设备、电源管理和音频放大器等领域。
晶体管类型：NPN BJT
最大集电极电流（Ic）：3A
最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
最大集电极-基极电压（Vcb）：100V
最大功耗（Ptot）：25W
增益带宽积（fT）：100MHz
直流电流增益（hFE）：在Ic=2mA时为70-700（分档）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：TO-252（DPAK）
2SD1624S-TD-E晶体管具有多项优异特性，适用于高功率应用。其最大集电极电流为3A，集电极-发射极电压可达80V，适用于较高电压的电路设计。该器件采用了先进的硅工艺，提供了良好的热稳定性和高可靠性，能够在恶劣的环境条件下正常工作。此外，该晶体管的高频特性良好，增益带宽积达到100MHz，使其适用于高频放大电路。
该晶体管的直流电流增益（hFE）范围较宽，根据不同的分档可在70至700之间变化，满足不同应用场景对增益的需求。TO-252封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持表面贴装技术，提高了电路板的组装效率和可靠性。此外，该晶体管的功耗为25W，能够在高功率条件下稳定运行，适用于功率放大器和开关电路。
2SD1624S-TD-E晶体管广泛应用于多个领域，包括工业设备、电源管理、音频放大器等。在电源管理应用中，该晶体管可以用于DC-DC转换器、负载开关和稳压电路中，提供高效的功率控制。在音频放大器设计中，该晶体管的高频特性和高电流能力使其成为理想的选择，能够提供清晰的音频输出。此外，该器件还可用于电机驱动电路、继电器控制和工业自动化设备中的高功率开关应用。
2SD1624K-TD-E, 2SD1624S-TD, 2SC3281
