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2SD1623S-TD-E 发布时间 时间:2025/8/2 7:36:53 查看 阅读:21

2SD1623S-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)制造的NPN型双极性晶体管(BJT),主要用于高频率开关和放大应用。该晶体管采用SOT-89封装,适合在中功率电子电路中使用,具有良好的热稳定性和较高的可靠性。

参数

类型:NPN型晶体管
  封装类型:SOT-89
  最大集电极电流(Ic):150 mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50 V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50 V
  最大功耗(Ptot):300 mW
  增益(hFE):110 - 800(根据等级划分)
  过渡频率(fT):100 MHz
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2SD1623S-TD-E 晶体管具有优异的高频性能,适用于需要快速开关或信号放大的电子电路。其SOT-89封装形式提供了良好的热管理和空间节省设计,适合在紧凑型电子设备中使用。晶体管的高增益特性使其适用于低噪声放大器和高频振荡器电路。此外,该器件具有较高的耐压能力,可以在较宽的电压范围内稳定工作。
  该晶体管的制造工艺确保了其在不同工作条件下的稳定性,特别是在高温环境下仍能保持良好的性能。其材料符合RoHS标准,适合环保要求较高的应用场合。此外,2SD1623S-TD-E 的封装设计有助于提高散热效率,从而延长器件的使用寿命和可靠性。

应用

该晶体管广泛应用于射频(RF)放大器、中频放大器、高频振荡器、数字开关电路以及消费类电子产品中的信号处理模块。此外,它也常用于通信设备、工业控制系统、汽车电子系统以及便携式电子设备中的功率放大和信号调节电路。

替代型号

2SD1623S-TD-E 可以替代的型号包括2SD1623、2SD1623S-TD、2SD1623S-TE1等。在某些应用中,也可以使用功能相似的晶体管,如2N3904、BC547等,但需根据具体电路要求进行评估和替换设计。

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2SD1623S-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)2A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)400mV @ 50mA,1A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)100 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大500mW
  • 频率 - 转换150MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)