型号：UPB1V221MPD
　　类型：P沟道MOSFET
　　最大漏源电压(VDS)：-20V
　　最大栅源电压(VGS)：±12V
　　连续漏极电流(ID)：-2.2A
　　脉冲漏极电流(ID_pulse)：-8.8A
　　导通电阻(RDS(on))：47mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　导通电阻(RDS(on))：60mΩ（@ VGS = -2.5V）
　　阈值电压(Vth)：-0.6V ~ -1.0V
　　输入电容(Ciss)：320pF（@ VDS=10V）
　　输出电容(Coss)：190pF（@ VDS=10V）
　　反向恢复时间(trr)：未指定（体二极管）
　　工作结温范围(Tj)：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini (相当于DFN1006)
　　安装类型：表面贴装(SMD)

UPB1V221MPD的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使其在大电流开关应用中能够显著降低传导损耗，从而提升系统的整体能效。当栅源电压达到-4.5V时，其典型RDS(on)仅为47mΩ，在-2.5V条件下也保持在60mΩ以下，表明该器件即使在较低驱动电压下仍具有良好的导通能力，适用于由3.3V或更低逻辑电平直接驱动的场合。这种低门槛驱动能力减少了对外部复杂驱动电路的需求，有助于简化设计并节省PCB空间。此外，该器件的阈值电压范围合理，确保了在不同工作条件下的可靠开启与关闭，避免因噪声干扰导致误动作。
　　另一个关键特性是其小型化封装设计。UPB1V221MPD采用S-Mini封装（尺寸约为1.0mm x 0.6mm），属于超小型DFN类封装，非常适合高度集成的移动设备和便携式电子产品。尽管体积微小，但其封装结构经过优化，具备良好的散热性能，可通过PCB焊盘有效导出热量，防止局部过热影响长期可靠性。同时，该封装具有较高的机械强度和抗振动能力，适合自动化贴片生产流程，并支持回流焊工艺，满足现代SMT生产线的需求。
　　该器件还具备优良的开关速度和电容特性。其输入电容（Ciss）为320pF，输出电容（Coss）为190pF，在同类P沟道MOSFET中处于较低水平，这意味着它可以在高频开关应用中快速响应，减少开关过渡时间，从而进一步降低动态功耗。虽然其体二极管的反向恢复时间未明确标注，但在大多数电源开关应用中，这一参数并非主要关注点，尤其是在非硬切换拓扑中。总体而言，UPB1V221MPD通过平衡导通损耗、开关速度和封装尺寸，提供了一个高效、可靠且易于使用的功率开关解决方案。

UPB1V221MPD广泛应用于各类低电压直流电源管理系统中，尤其适合作为高端负载开关或电源路径控制器。在便携式消费电子产品如智能手机、平板电脑和智能手表中，该器件常用于电池供电系统的电源选通控制，例如在主处理器休眠时切断外围模块的供电以节省电量，或者在多电源输入系统中选择最优电源路径进行供电切换。由于其P沟道结构无需额外的栅极升压电路即可实现高端驱动，因此特别适合集成在空间受限的主板设计中。
　　在电池管理系统（BMS）或充电管理电路中，UPB1V221MPD可用于实现充放电通路的隔离控制，防止反向电流流动，保护电池安全。此外，它也可用于LED背光驱动电路中的开关元件，控制显示屏背光的开启与关闭，配合PWM调光信号实现亮度调节。在USB端口电源管理中，该MOSFET可用于限制输出电流或在设备插入/拔出时断开电源，起到过流保护和热插拔控制的作用。
　　工业和医疗类小型设备中同样可以见到该器件的应用身影。例如在手持式检测仪器、无线传感器节点或IoT终端设备中，UPB1V221MPD用于按需上电各个功能模块，延长整体续航时间。其稳定的电气特性和宽工作温度范围使其能在恶劣环境下可靠运行。此外，由于其符合环保标准且支持无铅焊接，也适用于对环境和生产工艺有严格要求的出口型电子产品。总之，凡是在低压、小电流、高集成度场景下需要高效开关控制的地方，UPB1V221MPD都是一个理想的选择。

DMG2305UX
　　Si2301DS
　　AOZ8011PI