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2SD1619-TD-E 发布时间 时间:2025/12/28 16:12:55 查看 阅读:16

2SD1619-TD-E 是一款由东芝(Toshiba)公司生产的NPN型双极结型晶体管(BJT),主要设计用于高功率放大和开关应用。这款晶体管采用了先进的制造工艺,具有良好的热稳定性和高可靠性,适用于各种工业和消费类电子设备。

参数

类型:NPN BJT
  最大集电极电流(Ic):1.5A
  最大集电极-发射极电压(Vce):80V
  最大集电极-基极电压(Vcb):100V
  最大功耗(Pd):30W
  电流增益(hFE):110-800(根据不同等级)
  工作温度范围:-55°C至+150°C

特性

2SD1619-TD-E晶体管具有多种优异的电气特性和物理特性。首先,它的高集电极-发射极击穿电压(80V)和集电极-基极击穿电压(100V)使其能够在高压环境下稳定工作,适合多种电源管理和功率放大应用。此外,最大集电极电流为1.5A,这使得该晶体管能够承受较大的电流负载,适用于需要高电流输出的场景。
  该晶体管的电流增益(hFE)范围为110至800,具体数值取决于不同的等级划分,这为设计者提供了灵活的选择空间。2SD1619-TD-E的高功率耗散能力达到30W,这表明其可以在较高的功率水平下运行,而不会导致热失效。此外,其工作温度范围广泛(-55°C至+150°C),确保了在极端环境条件下的稳定性和可靠性。
  从封装角度来看,2SD1619-TD-E采用TO-126封装形式,这种封装不仅提供了良好的散热性能,还便于安装和集成到各种电路板中。因此,这款晶体管在设计紧凑和高可靠性要求的应用中表现出色。

应用

2SD1619-TD-E晶体管广泛应用于多个领域,包括音频功率放大器、电源开关电路、工业控制设备、直流-直流转换器、电动机驱动电路以及各种消费类电子产品。由于其高压和高电流处理能力,它特别适合用于需要高效能和高可靠性的电力电子系统。

替代型号

2SD1618, 2SD1619-TL-E

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