时间：2025/12/25 11:52:44
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2SCR573D3TL1是一款由Toshiba（东芝）生产的双极性晶体管（Bipolar Junction Transistor, BJT），主要用于高频放大和开关应用。该器件采用小型表面贴装封装（S-Mini），适合高密度PCB布局，广泛应用于便携式电子设备、无线通信模块、电源管理电路以及信号切换系统中。作为NPN型晶体管，2SCR573D3TL1具有良好的电流增益特性和快速开关响应能力，能够在低电压、低功耗条件下稳定工作。其设计符合现代电子产品对微型化、高效能和高可靠性的要求。该器件符合RoHS环保标准，无铅且环境友好，适用于自动化贴片生产工艺。由于其优良的频率响应和热稳定性，2SCR573D3TL1常被用于射频前端模块、音频放大器、DC-DC转换器驱动级以及各类模拟和数字控制电路中。
型号：2SCR573D3TL1
类型：NPN Bipolar Transistor
封装形式：S-Mini (USP-6C)
最大集电极-发射极电压 (VCEO)：50 V
最大发射极-基极电压 (VEBO)：6 V
最大集电极电流 (IC)：100 mA
最大总耗散功率 (Ptot)：150 mW
直流电流增益 (hFE)：120 ~ 700 (在VCE = 5 V, IC = 10 mA条件下)
过渡频率 (fT)：200 MHz
工作结温范围 (Tj)：-55 °C 至 +150 °C
存储温度范围：-55 °C 至 +150 °C
2SCR573D3TL1具备优异的高频性能和稳定的直流电流增益表现，使其在小信号放大与高速开关应用中表现出色。其过渡频率高达200 MHz，意味着该晶体管能够有效放大数百兆赫兹范围内的信号，适用于射频接收机前端、本地振荡器缓冲级以及高频脉冲处理电路。器件的直流电流增益（hFE）在典型工作条件下可达到120至700之间的宽范围，确保了在不同偏置状态下仍能维持良好的线性放大特性，减少信号失真。该晶体管的集电极电流额定值为100 mA，在低功耗系统中足以驱动多数负载，同时保持较低的静态功耗。
该器件采用S-Mini超小型封装（USP-6C），尺寸紧凑，仅为约1.6 mm × 1.6 mm × 0.55 mm，极大节省了印刷电路板空间，特别适合智能手机、可穿戴设备、物联网传感器节点等对体积敏感的应用场景。其封装结构具备良好的热传导性能和机械强度，支持回流焊工艺，适应现代化SMT生产线需求。此外，2SCR573D3TL1具有较高的击穿电压特性（VCEO=50V），增强了在瞬态电压波动下的耐受能力，提升了系统可靠性。
在环境适应性方面，该晶体管的工作结温范围从-55°C到+150°C，可在极端温度环境下稳定运行，适用于工业控制、汽车电子外围电路等复杂工况。器件符合无铅和RoHS指令要求，不含镉、铅等有害物质，满足国际环保法规标准。通过严格的质量认证和老化测试，保证了长期使用的稳定性和一致性。
2SCR573D3TL1广泛应用于高频小信号放大电路，如无线通信系统的前置放大器、FM收音模块中的射频放大级、蓝牙和Wi-Fi模块的信号缓冲驱动等。此外，它也常用于便携式消费类电子产品中的DC-DC升压或降压转换器的开关控制部分，作为驱动晶体管来调节功率开关的导通与关断。在音频处理领域，该器件可用于耳机放大器或麦克风前置放大器中，提供低噪声、高保真的信号放大功能。其快速开关能力还使其适用于逻辑电平转换、LED闪烁控制、继电器驱动接口等数字开关应用。在工业自动化系统中，可用于传感器信号调理电路或光电耦合器的输出级放大。由于其小型化封装和高可靠性，也被广泛用于医疗监测设备、智能家居控制单元和车载信息娱乐系统中。
MMBT3904, 2SC3838, KSC1845, FMMT124
