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2SCR502EBTL 发布时间 时间:2025/11/8 4:52:55 查看 阅读:6

2SCR502EBTL是一款由ROHM Semiconductor(罗姆半导体)生产的双极性晶体管(BJT),属于通用小信号晶体管系列。该器件采用小型表面贴装封装(通常为SC-70或SOT-323等紧凑型封装),适用于高密度印刷电路板设计,特别适合便携式电子设备和空间受限的应用场景。2SCR502EBTL由两个独立的NPN型晶体管集成在一个封装内,构成双晶体管结构,常用于需要匹配性能的差分放大器、互补推挽输出级、开关电路以及驱动电路中。这种配置不仅节省了PCB空间,还提高了电路对称性和热稳定性,因为两个晶体管在同一硅芯片上制造,具有相近的电气特性。该器件的工作温度范围较宽,通常支持-55°C至+150°C的结温范围,符合工业级应用需求。此外,2SCR502EBTL符合RoHS环保标准,无铅且绿色环保,适用于现代电子产品对环境友好型元器件的要求。由于其高频响应能力和良好的电流增益特性,它在音频放大、信号调理、逻辑电平转换和低功率开关控制等领域得到了广泛应用。

参数

类型:NPN+NPN 双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极-基极电压(VCBO):70V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  集电极电流(IC):100mA
  总功耗(PD):150mW
  直流电流增益(hFE):120~700(典型值)
  过渡频率(fT):80MHz
  工作结温范围(Tj):-55°C 至 +150°C
  封装形式:SC-70(SOT-323)

特性

2SCR502EBTL的两个NPN晶体管具有高度匹配的电气特性,这是其最显著的优势之一。由于两个晶体管在同一晶圆上制造,它们在电流增益(hFE)、基极-发射极电压(VBE)和温度系数等方面表现出良好的一致性,这对于构建高性能差分放大器至关重要。差分对能够有效抑制共模噪声并提高信号的信噪比,在模拟集成电路前端、运算放大器输入级以及传感器信号调理电路中发挥着关键作用。此外,这种匹配特性也使得该器件非常适合用于精密电流镜电路,以实现稳定的偏置电流复制。
  该晶体管具备较高的过渡频率(fT达80MHz),意味着其在高频信号处理方面表现优异,可用于射频小信号放大或高速开关应用。尽管其最大集电极电流仅为100mA,但足以满足大多数低功耗数字逻辑驱动和LED驱动需求。器件的饱和压降低(VCE(sat)通常小于0.25V @ IC=10mA),有助于减少导通损耗,提升能效,尤其在电池供电设备中尤为重要。
  SC-70封装尺寸小巧(约2mm x 1.25mm x 0.95mm),极大节省了PCB布局空间,适用于智能手机、可穿戴设备、蓝牙模块和其他微型化电子产品。该封装还具备良好的热传导性能,结合合理的PCB布线设计,可以有效散热,确保长期稳定运行。此外,器件内部结构经过优化,具有较强的抗静电能力(HBM模型下可达数千伏),增强了在自动化贴片生产和使用过程中的可靠性。整体而言,2SCR502EBTL是一款兼顾性能、尺寸与可靠性的双NPN晶体管解决方案。

应用

2SCR502EBTL广泛应用于各类消费类电子、通信设备和工业控制系统中。在便携式电子产品如手机、平板电脑和智能手表中,常被用作LCD背光驱动、触摸屏接口信号放大或电源管理单元中的电平转换开关。在无线通信模块(如Wi-Fi、Zigbee、LoRa)中,可用于小信号放大和射频开关控制电路。其双晶体管结构使其成为构建推挽输出级的理想选择,常见于微控制器GPIO扩展电路或继电器/蜂鸣器驱动电路中,提供双向驱动能力。
  在模拟电路设计中,2SCR502EBTL常用于构建差分放大器,特别是在低噪声前置放大器中,利用其匹配特性来增强共模抑制比(CMRR)。此外,它也可作为有源负载、恒流源或电流镜使用,为其他模拟功能块提供精确偏置。在数字逻辑电路中,可用于电平移位、缓冲器和反相器设计,实现不同电压域之间的信号兼容。
  工业领域中,该器件可用于传感器信号调理、光电检测电路(如红外接收模块)、编码器接口和小型执行机构驱动。由于其工作温度范围宽,也能适应较为严苛的环境条件。总之,2SCR502EBTL凭借其小尺寸、高性能和高集成度,在现代电子系统中扮演着重要角色。

替代型号

[
   "KST2A",
   "MMBT3904DW1T1G",
   "FMMT222TA",
   "DTC114ECA",
   "2SCR502YBTL"
  ]

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2SCR502EBTL参数

  • 现有数量2,483现货
  • 价格1 : ¥2.38000剪切带(CT)3,000 : ¥0.42641卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大值)500 mA
  • 电压 - 集射极击穿(最大值)30 V
  • 不同?Ib、Ic 时?Vce 饱和压降(最大值)300mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大值)200nA(ICBO)
  • 不同?Ic、Vce?时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)200 @ 100mA,2V
  • 功率 - 最大值150 mW
  • 频率 - 跃迁360MHz
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳SC-89,SOT-490
  • 供应商器件封装EMT3F(SOT-416FL)