型号：2SCR372P5
　　极性：N沟道
　　漏源电压VDS：60V
　　连续漏极电流ID：14A
　　脉冲漏极电流IDM：56A
　　栅源电压VGS：±20V
　　导通电阻RDS(on)：最大22mΩ @ VGS=10V
　　导通电阻RDS(on)：最大28mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压Vth：典型值2.0V，范围1.5V~2.5V
　　输入电容Ciss：约2300pF @ VDS=30V, f=1MHz
　　输出电容Coss：约950pF @ VDS=30V, f=1MHz
　　反向传输电容Crss：约130pF @ VDS=30V, f=1MHz
　　总栅极电荷Qg：约55nC @ VDS=60V, ID=14A, VGS=10V
　　开启延迟时间td(on)：约15ns
　　上升时间tr：约40ns
　　关断延迟时间td(off)：约45ns
　　下降时间tf：约25ns
　　工作结温范围Tj：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围Tstg：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：SOP-8
　　是否符合RoHS：是

2SCR372P5采用先进的沟槽型MOSFET工艺，实现了极低的导通电阻RDS(on)，在VGS=10V时最大仅为22mΩ，而在较低的栅极驱动电压4.5V下也能保持28mΩ的优异表现，这显著减少了导通状态下的功率损耗，提升了电源转换效率。这种低RDS(on)特性使其非常适合用于大电流开关应用，如同步整流、电池管理系统和负载开关等场景。器件的栅极电荷Qg仅为55nC左右，配合较小的输入电容Ciss和反向传输电荷Crss，有效降低了驱动电路所需的功耗，并加快了开关响应速度，从而减少开关过程中的能量损耗，进一步提高系统能效。
　　该MOSFET具备良好的热稳定性与热循环可靠性，得益于SOP-8封装的优化引线框架设计，能够有效地将芯片产生的热量传导至PCB板，实现高效散热。即使在持续高负载运行条件下，也能维持较低的工作温度，延长使用寿命。同时，2SCR372P5具有较高的雪崩耐量，能够在突发的电压尖峰或感性负载关断过程中承受一定的能量冲击，避免因瞬态过压导致器件损坏，增强了整个系统的安全性和可靠性。
　　此外，该器件支持逻辑电平驱动，在VGS=4.5V~10V范围内即可实现充分导通，兼容常见的CMOS和TTL驱动信号，简化了驱动电路设计。其阈值电压Vth在1.5V~2.5V之间，确保了稳定的开启控制，防止误触发。在整个工作温度范围内，电气参数变化较小，表现出良好的温度稳定性，适用于工业级环境下的各种严苛应用。综合来看，2SCR372P5以其高性能、高可靠性和紧凑封装，成为现代高效电源系统中不可或缺的关键元件之一。

2SCR372P5广泛应用于各类中低功率开关电源系统中，尤其适用于需要高效率和小型化的应用场景。常见用途包括DC-DC降压或升压转换器，作为主开关管或同步整流管使用，利用其低导通电阻和快速开关特性来提升转换效率。在便携式电子设备如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的电源管理模块中，该器件可用于电池充放电控制、电源路径管理及负载开关功能，帮助延长续航时间并提升系统稳定性。此外，它也常用于电机驱动电路，特别是在小型直流电机或步进电机的H桥驱动中作为开关元件，提供快速响应和低功耗控制。
　　在LED照明驱动电源中，2SCR372P5可作为恒流源的开关调节元件，实现高效的亮度调节和节能运行。其优良的热性能使其能在密闭空间内长期稳定工作，适用于高密度集成的照明模组。在消费类家电产品如电视、音响、路由器等内部的辅助电源（待机电源）中，该MOSFET同样发挥着重要作用，满足待机低功耗和启动快速的要求。
　　工业控制领域中，2SCR372P5可用于PLC输入输出模块、传感器供电开关、继电器替代电路等场合，实现固态开关功能，提高系统响应速度和寿命。由于其符合RoHS标准且采用无铅封装，符合现代环保要求，适用于出口型电子产品设计。总之，凭借其出色的电气性能和可靠的封装工艺，2SCR372P5在通信设备、工业自动化、汽车电子（非引擎舱）以及绿色能源系统中均有广泛应用前景。

TPN6003,TSM23N06K,SUM6008E