类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：1.5A
　　集电极峰值电流（ICM）：2A
　　功耗（PC）：800mW
　　直流电流增益（hFE）：200～400（典型值，测试条件IC=150mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：200MHz
　　工作结温范围（Tj）：-55℃～+150℃
　　存储温度范围（Tstg）：-55℃～+150℃

2SC5763M晶体管具备出色的高频放大能力和稳定的直流偏置特性，其高过渡频率（fT高达200MHz）使其能够在射频和中频信号放大电路中表现出色，尤其适用于需要良好线性度和低失真的应用场景。该器件的直流电流增益范围较宽且一致性好，典型值在200至400之间，确保了在不同负载条件下仍能实现可靠的信号放大效果。其低饱和压降特性使得在开关模式下能量损耗更小，提升了整体能效表现。
　　该晶体管采用高性能的硅材料与精密的平面外延工艺制造，增强了载流子迁移率并减少了寄生电容，从而优化了高频响应性能。同时，其内部结构设计有效降低了热阻，配合SOT-89等利于散热的封装形式，可在持续高负载运行中维持较低的工作温度，延长使用寿命并提高系统可靠性。此外，2SC5763M具有良好的抗二次击穿能力，避免在瞬态过载或浪涌情况下发生永久性损坏。
　　该器件还表现出优异的温度稳定性，即使在极端高低温环境下也能保持关键参数的一致性，例如hFE随温度的变化较小，漏电流（ICEO）也控制在较低水平。这种稳定性使其适用于汽车电子、工业控制等对环境适应性要求较高的场合。另外，2SC5763M的封装尺寸小巧，便于在高密度PCB布局中使用，支持自动化贴片生产，提高了生产效率并降低了制造成本。其引脚排列符合标准规范，兼容多种现有设计，便于替换和升级。

2SC5763M广泛应用于各类模拟与数字电路中，特别是在需要中等功率放大的场合。常见用途包括射频功率放大器模块，用于无线通信设备如对讲机、小型发射机和物联网终端设备中，发挥其高频增益优势。在音频放大电路中，它可用于前置放大级或驱动级，提供清晰稳定的信号输出。此外，该晶体管适用于开关电源中的驱动级或小功率开关元件，如反激式转换器、升压/降压拓扑结构中的控制部分。
　　在工业领域，2SC5763M常被用于电机驱动电路、继电器驱动器以及传感器信号调理电路中，利用其快速开关响应和足够的电流驱动能力来控制负载。它也可作为LED恒流驱动电路中的调节元件，确保光源亮度稳定。在消费电子产品中，如电视机、音响系统、充电器和适配器中，该器件用于电源管理和信号切换功能。由于其具备一定的耐压和电流承载能力，还可用于电池供电设备中的功率控制单元，例如便携式仪器和电动工具的控制板。
　　得益于其小型化封装和表面贴装特性，2SC5763M非常适合现代电子产品向轻薄化、高集成度发展的趋势，广泛用于各类嵌入式系统、智能家居设备和移动终端外围电路中。

MMBT3904、BCX56-40、FMMT449