类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：≤35mΩ @ VGS=10V
　　功率耗散（PD）：60W
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）

FT0104MA 具备多项优良特性，适用于高性能电源系统设计。
　　首先，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高整体系统的能效。在大电流应用中，低RDS(on)有助于减少发热，提升稳定性。
　　其次，该器件具有较高的耐压能力，漏源电压可达60V，适合多种中低压电源转换场合。此外，±20V的栅源电压容限增强了其在复杂电路环境下的可靠性，降低了因过压而导致损坏的风险。
　　FT0104MA采用TO-252（DPAK）封装，具备良好的散热性能和机械强度，有利于PCB布局和热管理。这种封装形式也便于自动化贴装，提高了生产效率。
　　该MOSFET还具备快速开关特性，能够适应高频开关电源的设计需求，从而减小外围元件体积，提升系统集成度。同时，它具备较强的抗浪涌能力和短路保护特性，在电机驱动或负载突变的应用场景中表现出色。
　　最后，作为一款国产器件，FT0104MA在成本控制方面具有一定优势，适用于批量生产和消费类电子产品应用。

FT0104MA 主要用于以下类型的电子设备和系统中：
　　在电源管理系统中，如DC-DC降压/升压模块、同步整流电路、电池充电管理单元等，该器件的低导通电阻和高效率特性使其成为理想选择。
　　在工业控制领域，可用于PLC输出驱动、继电器替代方案、伺服电机H桥驱动电路等，其高可靠性和良好的热稳定性满足工业环境下长时间运行的需求。
　　在汽车电子系统中，如车载电源适配器、LED照明驱动、电动工具控制器等应用中，该MOSFET可以有效应对复杂的电气环境。
　　此外，该器件也可用于逆变器、UPS不间断电源、光伏逆变系统等新能源相关设备中，为高效能量转换提供支持。
　　在家用电器中，例如电磁炉、电饭煲、智能家电中的马达驱动与负载控制部分，FT0104MA也能提供稳定可靠的性能表现。

Si2302DS, AOD4184, AO4406, FDD6688