类型：NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极-基极电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极电压（VEBO）：6V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：S-Mini

2SC5658T2LS晶体管具备卓越的高频响应能力，其典型过渡频率（fT）高达8GHz，这使得它非常适合用于超高频（UHF）和甚高频（VHF）范围内的小信号放大应用。这种高频特性源于器件内部采用的超薄基区工艺和低掺杂浓度设计，有效减少了载流子渡越时间，从而提升了频率响应速度。同时，该晶体管具有较低的输入和输出电容（通常Cob < 2pF），进一步降低了高频信号传输过程中的容性损耗和相位失真，确保在高频工作状态下仍能维持较高的增益和平坦的频率响应曲线。这对于射频前端电路中的低噪声放大器（LNA）至关重要，因为它直接影响到系统的接收灵敏度和抗干扰能力。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽泛，典型值在70至700之间，允许在不同偏置条件下灵活调整放大倍数。这一宽增益范围使其能够适应多种电路配置，包括共发射极、共基极和共集电极结构，增强了设计的通用性。此外，2SC5658T2LS在小电流工作区域依然保持较高的β值，意味着即使在微弱信号输入时也能实现有效的信号放大，提升了低电平信号处理的能力。其集电极电流最大可达150mA，足以驱动多数中小功率负载，如LED驱动、继电器控制或音频输出级等。
　　热稳定性方面，2SC5658T2LS表现出良好的温度特性，其反向漏电流（ICEO）在高温环境下增长缓慢，保证了在极端工况下的可靠运行。器件的最大结温可达150℃，配合合理的PCB散热设计可长期稳定工作。S-Mini封装不仅体积小巧，节省布板空间，而且引脚间距适中，便于自动化贴片生产，提高了制造效率。整体而言，该晶体管结合了高频、低噪声、高增益和高可靠性的特点，是现代高频模拟电路中理想的有源器件选择。

2SC5658T2LS广泛应用于高频小信号放大电路中，特别是在无线通信领域表现突出。它可以用于构建低噪声放大器（LNA），安装在接收系统的前端以增强微弱射频信号，常见于FM广播接收机、TV调谐器、无线麦克风、遥控器和物联网（IoT）无线模块中。由于其高过渡频率（8GHz）和低噪声特性，该晶体管能够在数百MHz至数GHz的频段内提供稳定的增益，显著改善接收链路的信噪比。此外，它也常用于振荡器电路中作为有源元件，配合LC或晶体谐振器产生稳定的高频信号，适用于本地振荡源或时钟生成电路。
　　在音频应用方面，2SC5658T2LS可用于前置放大级或耳机驱动电路，尤其是在便携式音频设备中，因其低失真和良好线性度而受到青睐。虽然其功率处理能力有限，但作为电压放大级使用时能提供足够的增益和带宽。该晶体管还可作为高速开关使用，在数字逻辑接口电路、脉冲信号调理和LED闪烁控制等场合发挥作用。当用于开关模式时，其快速的开启和关断时间（ton/toff较小）可减少开关损耗，提高响应速度。
　　其他典型应用场景还包括传感器信号调理电路、射频识别（RFID）读写器前端、无线充电控制回路以及各类消费类电子产品中的模拟信号处理模块。得益于其小型化封装和环保合规性，2SC5658T2LS特别适合应用于智能手机、可穿戴设备、智能家居终端等对空间和功耗敏感的产品中。其工业级温度范围也使其适用于车载电子、监控设备和户外通信装置等较为严苛的环境。

2SC5658, 2SC3356, BFR92A, MMBT5551