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IRFH9310TRPBF 发布时间 时间:2025/5/12 8:32:51 查看 阅读:6

IRFH9310TRPBF是Infineon(英飞凌)公司生产的N沟道增强型MOSFET,采用Trench技术制造。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高效率等特点,广泛应用于功率转换、电机驱动、DC-DC转换器以及负载开关等领域。其封装形式为TO-Leadless (TOLL),有助于提高散热性能和节省电路板空间。

参数

漏源极击穿电压:40V
  连续漏极电流:62A
  导通电阻:1.4mΩ
  栅极电荷:78nC
  输入电容:3540pF
  总热阻(结到环境):53°C/W
  工作温度范围:-55°C 至 175°C

特性

IRFH9310TRPBF采用先进的Trench MOSFET技术,具备极低的导通电阻和栅极电荷,这使其在高频开关应用中表现出色。此外,该器件还具有较低的反向恢复电荷,可有效减少开关损耗。其高雪崩能量能力和坚固的设计,确保了在严苛条件下的可靠运行。
  主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻,有助于降低传导损耗。
  2. 快速开关特性,适用于高频应用。
  3. 高额定电流能力,支持大功率系统。
  4. TO-Leadless封装,提供优秀的热性能和电气性能。
  5. 广泛的工作温度范围,适合各种恶劣环境。

应用

IRFH9310TRPBF非常适合用于需要高效功率转换和大电流处理能力的应用场景。典型应用包括:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 电动工具和家用电器中的电机驱动
  3. 汽车电子中的负载开关和DC-DC转换器
  4. 工业自动化设备中的功率管理模块
  5. 大功率LED驱动器
  6. 电池管理系统(BMS)中的保护和切换电路

替代型号

IRFH9309TRPBF, IRFH9311TRPBF

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IRFH9310TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C21A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.6 毫欧 @ 21A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 100µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds5250pF @ 15V
  • 功率 - 最大3.1W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-VDFN
  • 供应商设备封装PQFN(5x6)
  • 包装带卷 (TR)