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2SC5585TL 发布时间 时间:2025/6/9 19:14:03 查看 阅读:7

2SC5585TL是一种NPN型双极性晶体管,主要用于音频放大器和功率放大电路中的开关和放大应用。该晶体管具有较高的电流增益、低噪声特性以及良好的频率响应,适用于要求高稳定性和高性能的电路设计。
  该型号属于东芝(Toshiba)公司生产的半导体器件系列,广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备等领域。

参数

集电极-发射极电压:60V
  集电极最大连续电流:3A
  直流电流增益(hFE):100~400
  集电极-基极反向击穿电压:50V
  功耗:45W
  过渡频率(fT):200MHz
  封装类型:TO-126

特性

2SC5585TL晶体管具有以下主要特性:
  1. 高增益性能,能够在较低输入信号的情况下实现较大的输出放大。
  2. 支持高频操作,适合需要快速响应的应用场景。
  3. 较高的耐压能力,使其在高压电路环境中表现出色。
  4. 封装形式坚固耐用,散热性能良好,能够有效降低温升对性能的影响。
  5. 稳定性高,抗干扰能力强,适合复杂电磁环境下的工作。

应用

2SC5585TL广泛应用于各种电子产品中,主要包括:
  1. 音频功率放大器:用于家庭音响、车载音响等设备的功率放大部分。
  2. 开关电源电路:作为开关元件或驱动元件使用。
  3. 工业控制领域:如电机驱动、继电器控制等。
  4. 通信设备:用作信号放大器或调制解调器中的关键组件。
  5. 测试测量仪器:如示波器、信号发生器等精密设备的内部电路。

替代型号

2SC5585, 2SC5585H, 2SC5585L

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2SC5585TL产品

2SC5585TL参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)500mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)12V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)250mV @ 10mA,200mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)270 @ 10mA,2V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换320MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SC5585TL-ND2SC5585TLTR