类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：150mA
　　功率耗散（Pd）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　集电极-基极电容（Ccb）：0.3pF
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：SOT-416（US6）
　　极性：NPN
　　增益带宽积：8GHz
　　饱和电压（VCE(sat)）：0.3V @ IC=50mA, IB=5mA

2SC5569G-AB3-R具备卓越的高频性能，其过渡频率高达8GHz，使其非常适合用于GHz频段内的射频放大和信号处理应用。该晶体管在高频条件下仍能维持较高的电流增益，确保了信号放大的稳定性与线性度。
　　该器件具有非常低的寄生电容，尤其是集电极-基极电容仅为0.3pF，有效减少了高频下的反馈效应，提高了电路的稳定性并降低了自激振荡的风险。同时，低输入电容也有助于提升匹配网络的设计灵活性，便于实现宽带阻抗匹配。
　　其直流电流增益（hFE）范围宽广，典型值为70至700，可根据不同应用需求进行筛选使用，适用于多级放大电路中的不同增益配置。这种高增益特性使得它在微弱信号放大场景中表现出色，例如在接收机前端低噪声放大器（LNA）中。
　　2SC5569G-AB3-R采用小型表面贴装封装（SOT-416），体积紧凑，节省PCB空间，特别适合智能手机、平板电脑、无线传感器等便携式设备。封装材料符合RoHS环保标准，并支持无铅焊接工艺，适应现代绿色制造要求。
　　该晶体管具有良好的热稳定性和长期可靠性，在-55°C到+150°C的工作结温范围内性能稳定，能够适应严苛的环境条件。其最大集电极电流为150mA，功率耗散为200mW，可在中等功率信号放大应用中可靠运行。
　　此外，该器件具备较低的饱和压降，开关速度快，可用于高速数字开关电路或脉冲调制系统中，实现高效的信号切换功能。整体而言，2SC5569G-AB3-R是一款高性能、高可靠性的通用高频NPN晶体管，适用于多种精密模拟与射频应用场景。

2SC5569G-AB3-R广泛应用于高频小信号放大电路中，尤其是在移动通信设备如智能手机、无线模块（Wi-Fi、Bluetooth、Zigbee）和物联网终端中作为射频前端放大器使用。
　　该器件常用于低噪声放大器（LNA）设计，因其低噪声系数和高增益特性，能够有效增强接收到的微弱无线信号，提高系统的灵敏度和通信质量。
　　在无线局域网（WLAN）、蓝牙音频传输、RFID读写器和无线传感网络中，该晶体管被用于构建高频放大链路，实现稳定的信号增益与阻抗匹配。
　　此外，2SC5569G-AB3-R也可用于振荡器电路、混频器和调制解调器中的有源增益元件，发挥其优异的高频响应能力。
　　在消费类电子产品中，如便携式音频设备、遥控装置和小型无线麦克风系统中，该晶体管可用于音频前置放大或射频发射驱动级，提供清晰的信号输出。
　　由于其小型封装和高可靠性，也适用于汽车电子中的车载通信模块、远程无钥匙进入系统（RKE）以及胎压监测系统（TPMS）等需要小型化和高稳定性的场合。
　　工业控制领域中，该器件可用于传感器信号调理电路、光电探测放大器和高速开关逻辑电路，满足对响应速度和精度的要求。总体来看，2SC5569G-AB3-R是一款多功能的高频晶体管，适用于广泛的射频与模拟信号处理应用。

MMBT3904, 2SC3356, BFR92A, 2SC5628, MMBTH10