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2SC5569-TD-E 发布时间 时间:2025/5/13 9:35:42 查看 阅读:14

2SC5569是一种NPN型硅双极结型晶体管(BJT),广泛应用于高频放大器、混频器和振荡器等射频电路中。该型号的晶体管具有较高的增益带宽积(fT)和较低的噪声系数,适合于要求高频率特性和低失真的应用场合。
  2SC5569-TD-E是其特定封装版本,通常采用TO-18或类似的金属封装形式,提供良好的散热性能以及电气连接稳定性。

参数

集电极-发射极击穿电压:30V
  集电极最大电流:40mA
  直流电流增益(hFE):40~200
  特征频率(fT):2GHz
  噪声系数:1.5dB
  工作温度范围:-55℃~+150℃

特性

2SC5569-TD-E具备以下主要特性:
  1. 高频性能卓越,适用于高频射频放大器设计。
  2. 具有较低的噪声系数,能够有效降低信号传输过程中的失真。
  3. 稳定的工作温度范围,确保在极端环境下的可靠性。
  4. 优异的线性表现,使其成为通信设备和无线模块的理想选择。
  5. 封装形式坚固耐用,支持长时间稳定运行。

应用

2SC5569-TD-E主要应用于以下领域:
  1. 高频放大器电路设计,如射频前端模块。
  2. 振荡器和混频器电路。
  3. 无线通信系统中的信号处理。
  4. 测试与测量设备中的高频信号路径。
  5. 医疗电子和工业自动化中的高频控制电路。

替代型号

2SC5550, 2SC3358, BFR96

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2SC5569-TD-E参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)7A
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)50V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)240mV @ 175mA,3.5A
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)200 @ 500mA,2V
  • 功率 - 最大1.3W
  • 频率 - 转换330MHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-243AA
  • 供应商设备封装PCP
  • 包装带卷 (TR)