2SC5566-TD-E 时间：2025/8/2 8:41:27 阅读：21

2SC5566-TD-E 是一款由东芝（Toshiba）制造的NPN型双极性晶体管（BJT），主要用于高频放大和开关应用。该晶体管采用塑料封装，适用于表面贴装技术（SMT），适合在高频电路中使用。该器件在工作温度范围内具有良好的稳定性和可靠性，广泛应用于射频（RF）和中频（IF）放大器、振荡器以及数字开关电路中。

参数

类型：NPN型双极性晶体管（BJT）
　　封装类型：SOT-23（表面贴装）
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（PD）：300mW
　　增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　截止频率（fT）：100MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

2SC5566-TD-E晶体管具有优异的高频性能，其截止频率可达100MHz，适用于射频和中频放大器的设计。其SOT-23封装形式使其适用于高密度PCB布局，支持自动化装配流程。
　　该晶体管的增益范围较广，根据不同的等级划分（如O档、Y档、GR档、BL档等），hFE值可在110至800之间变化，方便设计人员根据具体需求选择合适参数的器件。此外，其最大集电极-发射极电压为50V，最大集电极电流为150mA，具备较好的耐压和电流承载能力。
　　该器件的功耗为300mW，在正常工作温度范围（-55°C 至 +150°C）内保持良好的电气性能和稳定性，确保在各种环境条件下都能可靠运行。其NPN结构适合用于低噪声放大器、高速开关电路以及通用放大电路的设计。

应用

2SC5566-TD-E 主要用于高频电子电路中，常见于射频接收器、无线通信设备、音频放大器以及数字逻辑开关电路。由于其高频特性，该晶体管广泛应用于中频放大器、振荡器和调制解调器等通信模块。此外，它也适用于电源管理电路中的低功率开关应用，以及传感器信号放大电路的设计。在消费类电子产品、工业控制系统和汽车电子中也有一定的应用。由于其表面贴装封装形式，该器件特别适合用于现代电子设备中的小型化和高集成度设计。