类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大耗散功率（Ptot）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70～700（测试条件IC=2mA, VCE=5V）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　集电极-基极截止电流（ICBO）：10nA（典型值）
　　发射极-基极截止电流（IEBO）：10nA（典型值）
　　饱和电压（VCE(sat)）：≤0.3V（IC=10mA, IB=1mA）
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　存储温度范围：-55°C～+150°C
　　封装类型：S-Mini (DFN106)

2SC5384-T111C具备卓越的高频放大能力，其过渡频率高达8GHz，使其非常适合应用于高频小信号放大场景，如UHF频段的射频接收前端、无线通信模块以及高速数据传输系统中的信号调理电路。由于采用了优化的硅外延平面工艺，该晶体管在高频下仍能保持较高的电流增益和良好的线性度，有效降低信号失真，提升系统整体信噪比。其低噪声特性（典型噪声系数低于1.8dB，测试频率为1GHz）进一步增强了其在高灵敏度接收机和低电平信号放大中的适用性。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽广，从70到700，提供了良好的批次一致性和设计灵活性，允许工程师根据具体应用需求选择合适的工作点。这种宽增益分布也有助于在批量生产中减少因参数离散带来的匹配问题。同时，2SC5384-T111C具有较低的饱和压降，在开关应用中可显著降低导通损耗，提高能效表现。其快速开关响应能力得益于短的延迟时间和上升/下降时间，适用于高速逻辑驱动和脉冲信号处理。
　　S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约1.0mm×0.6mm×0.5mm），还具备优良的热传导性能和电气性能，有助于提升高频工作的稳定性。引脚设计符合标准贴片工艺要求，便于自动化贴装，提升了生产效率。此外，器件内部结构经过优化，具有较强的抗静电能力（HBM模式下可达±2kV），提高了在实际使用中的可靠性。整体而言，2SC5384-T111C是一款集高频、低噪、小型化和高可靠性于一体的高性能晶体管，广泛适用于现代高性能模拟和射频电路设计。

2SC5384-T111C广泛应用于高频小信号放大电路中，尤其是在无线通信系统中的射频前端模块，如Wi-Fi模块、蓝牙收发器、ZigBee通信设备以及蜂窝网络中的辅助信号放大单元。其高增益和低噪声特性使其成为低噪声放大器（LNA）的理想选择，能够有效增强微弱接收到的射频信号，从而提高接收灵敏度。
　　在消费类电子产品中，该晶体管常用于智能手机、平板电脑、智能手表等便携设备中的音频前置放大电路或传感器信号调理电路。由于其小型封装和低功耗特性，非常适合空间受限的应用场景。
　　此外，2SC5384-T111C也可用于高速开关电路，例如数字逻辑接口驱动、时钟信号缓冲、脉冲整形电路等，凭借其快速响应能力和低饱和压降，可在高频数字系统中实现高效信号传递。
　　在工业控制领域，该器件可用于传感器信号放大、光电探测器输出级放大以及各类精密测量仪器中的模拟前端处理。其稳定的温度特性和宽工作温度范围使其能够在恶劣环境下可靠运行。
　　在物联网（IoT）设备中，2SC5384-T111C被广泛用于无线传感节点的射频信号处理部分，支持低功耗长距离通信协议的数据传输需求。同时，它也可作为振荡器电路中的有源元件，用于生成稳定的高频信号。总之，该晶体管凭借其优异的综合性能，在通信、消费电子、工业自动化和物联网等多个领域均有重要应用。

MMBT3904, 2SC3356, 2SC3838, BFR92A