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2SC5012-T1EB 发布时间 时间:2025/7/22 12:19:26 查看 阅读:15

2SC5012-T1EB 是一款NPN型双极性晶体管(BJT),广泛用于高频率放大和开关应用。该晶体管采用小型表面贴装封装(SOT-23),适合在紧凑型电子设备中使用。该器件设计用于低电压和中等功率应用,具有良好的高频响应和热稳定性。

参数

类型:NPN双极性晶体管
  封装类型:SOT-23
  最大集电极电流(IC):100mA
  最大集电极-发射极电压(VCE):50V
  最大集电极-基极电压(VCB):50V
  最大功耗(PD):200mW
  最大工作温度:150°C
  增益(hFE):110 - 800(根据等级划分)
  过渡频率(fT):100MHz
  存储温度范围:-55°C至+150°C

特性

2SC5012-T1EB 具有出色的高频性能,适用于射频(RF)和音频放大电路。
  其SOT-23封装使其适用于高密度PCB布局,并提高了组装效率。
  晶体管的hFE范围较宽,可以根据不同的电流需求选择适当的等级,提供灵活的设计选项。
  该器件具有较低的饱和压降,有助于减少功耗和提高效率。
  其热稳定性良好,能够在较高温度下保持性能稳定,适用于工业级环境。
  此外,2SC5012-T1EB的开关速度较快,适合用于数字开关应用。

应用

该晶体管常用于射频放大器、音频前置放大器、信号开关电路以及便携式电子产品中的功率控制模块。
  此外,它也广泛应用于传感器接口电路、继电器驱动器、LED驱动器和低功率DC-DC转换器。
  由于其高频响应特性,该晶体管还被用于无线通信模块中的射频放大电路。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和穿戴设备中,2SC5012-T1EB用于信号处理和电源管理电路。
  工业控制设备中也常见该晶体管用于开关和放大功能。

替代型号

2SC3199, 2SC2712, BC847

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