类型：NPN
　　材料：硅
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：15 V
　　最大集电极-基极电压（VCBO）：15 V
　　最大发射极-基极电压（VEBO）：4 V
　　最大集电极电流（IC）：100 mA
　　最大功耗（Pc）：150 mW
　　过渡频率（fT）：8 GHz
　　直流电流增益（hFE）：70 ~ 400
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：S-Mini
　　极性：NPN

2SC5001-TLR具有出色的高频性能，其过渡频率（fT）高达8 GHz，使其非常适合用于高频放大电路，尤其是在UHF和微波频段的应用中表现出色。这种高fT值意味着晶体管可以在GHz级别的频率下仍保持良好的电流增益和信号放大能力，适用于无线通信系统中的射频放大器级联设计。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围为70至400，具有较高的增益一致性，能够在不同工作条件下提供稳定的放大性能。这一特性对于需要精确信号放大的应用尤为重要，例如在低噪声放大器（LNA）或前置放大器中，能够有效提升信噪比并减少失真。
　　2SC5001-TLR的最大集电极电流为100 mA，最大集电极-发射极电压为15 V，适合中低功率放大和开关应用。其功耗额定值为150 mW，配合S-Mini小型表面贴装封装，可在有限的空间内实现高效的热管理和电路集成。该封装还具备较低的寄生电感和电容，有助于提升高频响应特性。
　　该晶体管的集电极-基极截止电流（ICBO）非常低，通常在纳安级别，这有助于降低漏电流对电路性能的影响，特别是在高温或低功耗运行状态下，能够维持较高的稳定性和可靠性。同时，其工作结温范围宽达-55°C至+150°C，适应各种严苛环境下的长期运行需求。
　　此外，2SC5001-TLR采用环保材料制造，符合RoHS指令要求，支持无铅回流焊工艺，适用于自动化表面贴装生产线，提升了生产效率和产品一致性。其结构经过优化，具备良好的抗静电能力和机械强度，能够在运输和组装过程中保持性能稳定。

2SC5001-TLR主要应用于高频小信号放大电路，常见于移动通信设备中的射频前端模块，如手机、平板电脑和无线路由器等产品的低噪声放大器（LNA）中。其高增益和低噪声特性使其能够有效增强接收到的微弱射频信号，提高通信质量和接收灵敏度。
　　该器件也广泛用于蓝牙模块、ZigBee、Wi-Fi和其他短距离无线通信系统的射频放大级，作为驱动放大器或中间频率放大器使用，确保信号在传输过程中的完整性与稳定性。
　　此外，2SC5001-TLR可用于便携式音频设备中的前置放大电路，利用其高线性度和低失真特性来提升音质表现。在测试测量仪器、传感器信号调理电路以及高速开关电路中也有应用，尤其适合需要快速响应和高频率切换的场景。
　　由于其小型化封装和高性能指标，该晶体管也被用于卫星导航接收机、无线遥控装置和物联网（IoT）终端设备中，满足对尺寸和功耗敏感的设计需求。在消费类电子、工业控制和汽车电子等领域均有广泛应用前景。