UK4145L-TQ2-R 时间：2025/12/27 7:45:55 阅读：11

UK4145L-TQ2-R是一款由United Silicon Carbide（UnitedSC）推出的高性能碳化硅（SiC）MOSFET器件，广泛应用于高效率、高频开关电源系统中。该器件采用先进的沟槽栅极技术，结合碳化硅材料的优异特性，具备低导通电阻、快速开关速度和出色的高温工作能力。其封装形式为TQFN-8L（热增强型四侧无引线扁平封装），尺寸紧凑，适合高功率密度设计需求。该型号后缀“-R”表示其为卷带包装，适用于自动化贴片生产流程，是工业级可靠性产品，符合RoHS环保要求。由于其出色的动态性能和热管理能力，UK4145L-TQ2-R在电动汽车车载充电机（OBC）、DC-DC转换器、光伏逆变器、服务器电源及工业电机驱动等应用中表现出色。

参数

类型：SiC MOSFET
　　漏源电压（Vds）：1200 V
　　连续漏极电流（Id at 25°C）：16 A
　　脉冲漏极电流（Idm）：64 A
　　导通电阻Rds(on)：45 mΩ（典型值，@ Vgs = -15V 至 +20V）
　　栅极阈值电压（Vth）：约3.5 V
　　输入电容（Ciss）：约1400 pF
　　输出电容（Coss）：约280 pF
　　反向恢复电荷（Qrr）：接近于零
　　最大工作结温（Tj）：175 °C
　　封装类型：TQFN-8L（热增强型）
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　极性：N沟道
　　雪崩能量额定值（EAS）：有
　　栅极驱动电压范围：推荐 -5V 至 +20V

特性

UK4145L-TQ2-R的核心优势在于其基于碳化硅材料的半导体结构，这使其相较于传统硅基IGBT或MOSFET在多个关键性能维度上实现显著提升。首先，其45mΩ的低导通电阻有效降低了导通损耗，尤其在高电流应用场景下节能效果明显。其次，得益于SiC材料的宽带隙特性，该器件具备更高的击穿电场强度，因此可在1200V高压条件下稳定运行，同时保持较小的芯片面积，提升了功率密度。
　　该器件采用沟槽栅极设计，优化了载流子迁移路径，进一步降低了Rds(on)，并增强了器件的开关速度。与平面结构相比，沟槽结构有助于减少寄生电容，从而降低开关过程中的能量损耗，尤其是在高频操作时表现更为突出。此外，UK4145L-TQ2-R的开关速度极快，关断时间短，反向恢复电荷几乎为零，极大减少了与体二极管相关的损耗，这对于硬开关和图腾柱PFC拓扑尤为关键。
　　热性能方面，TQFN-8L封装具有优异的散热能力，底部集成裸露焊盘，可直接连接PCB热沉，有效将结温传导至外部环境。其最高工作结温达175°C，确保在高温环境下仍能可靠运行。同时，该器件对dv/dt和di/dt的耐受能力强，抗噪声干扰性能良好，适合在复杂电磁环境中使用。内置的高阈值电压栅极设计也提升了抗误触发能力，增强了系统稳定性。综合来看，UK4145L-TQ2-R在效率、功率密度和可靠性之间实现了良好平衡，是现代高效电力电子系统的理想选择。

应用

UK4145L-TQ2-R凭借其高电压等级、低损耗和高频响应能力，被广泛应用于多种高要求的电力转换系统。在新能源汽车领域，它常用于车载充电机（OBC）的PFC升压级和DC-DC变换器中，支持双向能量流动，并提升整体充电效率。在光伏发电系统中，该器件适用于组串式或微型逆变器的主开关单元，能够在高日照温度环境下长期稳定工作，延长系统寿命。
　　在工业电源方面，UK4145L-TQ2-R适用于大功率开关电源（SMPS）、服务器电源（如80 PLUS钛金标准电源）以及UPS不间断电源系统，帮助实现更高能效和更小体积的设计目标。此外，在工业电机驱动和变频器中，该器件可用于中压逆变桥臂，提供快速响应和低热耗表现，提升控制精度和系统动态响应。
　　通信基础设施中的基站电源模块也越来越多地采用此类SiC器件，以应对日益增长的能效和散热挑战。同时，随着数据中心对能源效率的要求不断提高，UK4145L-TQ2-R在高密度AC-DC和DC-DC电源模块中的应用持续扩大。其表面贴装封装形式还便于自动化生产和回流焊工艺，适合大规模制造场景。总体而言，凡是对效率、体积、重量和热管理有严苛要求的中高功率电力电子设备，均是其典型应用领域。