类型：NPN
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：150mA
　　最大功耗（Pc）：200mW
　　直流电流增益（hFE）：70 - 700（取决于测试条件）
　　过渡频率（fT）：8GHz
　　集电极-基极反向击穿电压（VCBO）：70V
　　发射极-基极反向击穿电压（VEBO）：4V
　　最大工作结温（Tj）：150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C

2SC4786晶体管具备出色的高频性能，其典型过渡频率（fT）高达8GHz，使其非常适合用于高频放大和射频信号处理应用。这一高频特性得益于其先进的硅外延平面技术，有效降低了器件内部的寄生电容和电阻，从而提升了高频响应速度和增益稳定性。在实际应用中，该晶体管可以在UHF（特高频）频段内保持良好的增益线性度和低失真输出，适用于射频前端模块中的小信号放大。
　　该器件的直流电流增益（hFE）范围宽，典型值在70至700之间，具体数值取决于工作电流和温度条件。这种宽增益范围使得2SC4786能够适应多种电路设计需求，无论是低偏置电流的节能应用，还是需要高增益放大的信号链前端，都能表现出良好的性能。同时，其低饱和压降（VCE(sat)）特性有助于减少功率损耗，提高整体能效。
　　2SC4786采用小型表面贴装封装，具有优良的热传导性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。其封装尺寸紧凑，有利于缩小PCB布局面积，提升产品集成度。此外，该晶体管具有良好的温度稳定性，在-55°C至+150°C的宽温度范围内可稳定工作，适用于工业级和消费级应用场景。
　　该器件还具备较高的击穿电压和抗静电能力，增强了在复杂电磁环境下的可靠性。其低噪声系数（NF）特性使其在接收机前端放大器中表现优异，能够有效放大微弱信号而不引入过多噪声。综合来看，2SC4786是一款集高频、低噪、高增益和小型化于一体的高性能NPN晶体管，适用于对信号完整性要求较高的现代电子系统。

2SC4786广泛应用于高频和射频电子系统中，尤其是在需要小信号放大的场合。典型应用包括无线通信设备中的射频放大器，如蓝牙模块、ZigBee收发器、Wi-Fi射频前端和蜂窝通信系统的低噪声放大器（LNA）。由于其高过渡频率和低噪声特性，该晶体管在接收链的第一级放大中能够有效提升信噪比，增强信号接收灵敏度。
　　在便携式消费电子产品中，2SC4786常用于音频前置放大器、耳机驱动电路和传感器信号调理电路。其低功耗和高增益特性使其非常适合电池供电设备，有助于延长续航时间。此外，该器件也适用于振荡器电路，如LC振荡器和谐振放大器，用于生成稳定的高频时钟信号或本地振荡信号。
　　在工业控制和测量仪器中，2SC4786可用于高速开关电路和脉冲信号放大器，实现快速响应和精确控制。其小型封装也使其成为高密度PCB设计的理想选择，广泛应用于智能手机、平板电脑、物联网（IoT）终端和可穿戴设备中。此外，该晶体管还可用于电视调谐器、卫星接收器和无线遥控系统中的高频信号处理环节。

MMBT3904, 2SC3356, 2SC3838, BFR92A