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IRFZ44S 发布时间 时间:2025/7/4 4:23:56 查看 阅读:23

IRFZ44S是一种N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),广泛应用于开关电源、电机驱动、逆变器等领域。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流承载能力,适合于高频开关应用。与经典的IRFZ44相比,IRFZ44S进行了封装优化或电气性能改进,具体取决于制造商的工艺提升。
  IRFZ44S采用TO-220封装形式,便于散热和安装。其高效率和可靠性使其成为许多电力电子设计中的关键元件。

参数

最大漏源电压:55V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:49A
  导通电阻:17.5mΩ(典型值,@ Vgs=10V)
  总功耗:140W
  结温范围:-55℃至175℃

特性

IRFZ44S具备以下显著特性:
  1. 极低的导通电阻,有助于减少传导损耗并提高系统效率。
  2. 较高的电流承载能力,可满足大功率应用需求。
  3. 快速开关速度,支持高频工作环境。
  4. 热稳定性良好,能够承受较宽的工作温度范围。
  5. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
  6. TO-220标准封装,方便集成到各种电路中。

应用

IRFZ44S适用于多种电力电子应用场景,包括但不限于:
  1. 开关电源(SMPS)
  2. 直流-直流转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 电池管理系统(BMS)
  5. 逆变器
  6. 各类工业和消费类电子产品中的功率开关模块。

替代型号

IRFZ44N, IRFZ48N, STP110N10F5, FDP18N10

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IRFZ44S参数

  • 标准包装1,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)60V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C50A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C28 毫欧 @ 31A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs67nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1900pF @ 25V
  • 功率 - 最大3.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB
  • 供应商设备封装D2PAK
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFZ44S