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2SC4725TLP 发布时间 时间:2025/6/28 20:45:00 查看 阅读:4

2SC4725TLP是一款NPN型双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),主要用于高频放大和开关应用。该晶体管具有较高的电流增益(hFE)和较低的噪声特性,适合用于射频(RF)和音频电路中的信号放大、混频以及振荡等场合。
  2SC4725TLP广泛应用于通信设备、无线模块、广播接收器以及其他需要高性能放大的电子系统中。

参数

集电极-发射极电压(VCEO):40V
  集电极-基极电压(VCBO):60V
  发射极-基极电压(VEBO):6V
  最大集电极电流(IC):1A
  最大耗散功率(Ptot):30W
  直流电流增益(hFE):最小值80,典型值200
  过渡频率(fT):400MHz
  存储温度范围:-55℃至+150℃

特性

2SC4725TLP的主要特性包括高电流增益,能够提供稳定的信号放大效果;其高频性能优越,适合在射频和高速电路中使用。
  此外,该晶体管还具备良好的热稳定性和可靠性,能够在较宽的工作温度范围内正常运行。
  由于其低噪声特性和高增益,2SC4725TLP成为许多射频和音频应用的理想选择。

应用

该晶体管适用于多种场景,包括但不限于高频放大器设计、射频混频器、振荡器电路、无线通信模块、音频前置放大器以及各种需要高增益和低噪声特性的电子设备。
  它还可以用作开关元件,在电源管理和其他数字电路中发挥重要作用。

替代型号

2SC4725TLP-A, 2SC4725TLP-B

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2SC4725TLP产品

2SC4725TLP参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 单路
  • 系列-
  • 晶体管类型NPN
  • 电流 - 集电极 (Ic)(最大)50mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿(最大)20V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度(最大)500mV @ 4mA,20mA
  • 电流 - 集电极截止(最大)-
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)82 @ 10mA,10V
  • 功率 - 最大150mW
  • 频率 - 转换1.5GHz
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳SC-75,SOT-416
  • 供应商设备封装EMT3
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称2SC4725TLP-ND2SC4725TLPTR